【一周芯热点】传中国大陆晶圆厂酝酿涨价；美光台中厂发生火灾

传中国大陆晶圆厂酝酿涨价，多家已经满产；美光台中“后里厂”发生火灾；ASML拟2030年推Hyper-NA EUV光刻机；台积电将从晶圆级转向面板级封装.....一起来看看本周（6月17日-6月23日）半导体行业发生了哪些大事件？

1.美将要求日荷向中国芯片制造能力施压 外交部：坚决反对，损人不利己

6月19日，外交部发言人林剑主持例行记者会。有记者提问，一位美国高级官员将访问日本和荷兰，要求日、荷对中国半导体行业施加新限制，这将包括限制中国制造人工智能（AI）所需的高端存储芯片的能力，中方对此有何评论？

对此林剑回应表示，中方坚决反对美方搞阵营对抗，甚至扩散到经贸科技领域，胁迫别国打压中国的半导体产业。美国的做法实质是为维护自身的霸权，剥夺中国正当发展的权利，为垄断价值链高端，人为地扰乱全球产物链稳定，这种行径严重阻碍了全球半导体产业的发展，最终将反噬自身，损人不利己，希望相关国家明辨是非，坚决抵制胁迫，共同维护公平开放的国际经贸秩序，维护自身的长远利益。

日前有消息称，知情人士表示，美国商务部副部长艾伦·埃斯特维兹（Alan Estevez）将向日本和荷兰施压，要求他们对荷兰和日本设备供应商在中国的运营施加更多限制。这些人士表示，埃斯特维兹的请求是与盟友的持续对话，他将强调中国芯片工厂正在开发高带宽存储（HBM）芯片。

美国战略与国际研究中心的人工智能与先进技术中心主任表示：“美国是全球半导体设备行业中最关键的角色，但远非唯一重要的国家/地区。日本和荷兰也是半导体设备的关键供应商。荷兰和日本对出口有限制，但对服务没有限制，这是整体技术控制架构中的一个关键限制。”

2.台积电南京已获美国商务部VEU授权

针对市场传言台积电南京工厂已获得美国商务部“无限期豁免授权”的消息，近日，台积电官方回应表示，美国商务部近日已核发“经认证终端用户”（Validated End-User,VEU）授权予台积电（南京）有限公司。此项正式的VEU授权取代了之前商务部自2022年10月以来核发的临时书面授权。此VEU授权并未增加新的权限，而是确认了美国出口管制法规所涉及的物品和服务得以长期持续提供予台积电（南京）公司，供货商并不需要取得个别许可证。

台积电自2015年决定在中国南京投资兴建先进制程晶圆代工厂，正式命名为台积电（南京）有限公司，成为公司在中国大陆的重要制造基地之一。工厂位于南京市江北新区，占地约30公顷，是台积电在中国大陆的第一个12英寸晶圆代工厂。

2018年10月，台积电南京工厂提前6个月投产，迅速展示了其在技术和生产效率方面的优势。工厂采用了先进的制程技术和自动化设备，年产能达到10万片12英寸晶圆，包括物理、化学和光学技术在内的生产线使其产品质量和性能达到全球领先水平。

3.三星电子存储部门计划重组

三星电子存储半导体领导宣布下半年重组。这次会议是在新任设备解决方案（DS）部门负责人全永铉上任后举行的，标志着公司可能在高带宽内存（HBM）等核心业务上寻求新的突破。

存储部门总经理兼总裁Jungbae Lee预告了下半年的组织重组，预计会聚焦于加强不同核心组织间的协同效应，并可能对某些组织进行精简化。

考虑到劳资协商失败，三星正经历自2007年以来的首次罢工，这被解读为旨在提振高管和员工士气、促进劳资合作的言论。三星电子去年仅半导体部门就录得约15万亿韩元的亏损。因此，DS部门设定为0%的超额利润激励（OPI）支付率成为今年年初劳资冲突的导火索。

全永铉于2000年加入三星电子存储部门，自2014年起开始从事DRAM和闪存的开发工作，一直担任存储部门负责人，对相关业务和技术有着深入的了解。上任后，他立即开始巡视整个组织检查业务，据说在这个过程中，他积极发现了技术、组织文化等方面需要改进的地方。

4.传中国大陆晶圆厂酝酿涨价，多家已经满产

据随着台积电传出将对3nm、5nm先进制程及先进封装实行价格调涨，有机构预计中国大陆晶圆代工厂如华虹半导体，晶圆厂目前产能利用率已超过100%，下半年或将涨价10%，结束两年跌势。

目前中国大陆各大晶圆厂产能利用率明显提升，不少厂家已出现满产，甚至产能利用率超过100%的情况。业界认为，产能的持续提升以及代工厂满产，为未来价格上涨创造条件。台积电凭借大量人工智能（AI）芯片订单，其3nm、5nm产能利用率维持高位，消息称3nm代工报价有望上涨5%以上。

机构数据显示，今年以来中国大陆功率半导体厂商集体涨价，其中三联盛全系列产品上调10%~20%、蓝彩电子全系列产品上调10%~18%、高格芯微全线产品上调10%~20%、捷捷微电Trench MOS上调5%~10%。

中芯国际此前提到，一季度其产能利用率为80.8%，环比提升4%，客户备货意愿有所上升，共出货179万片8英寸当量晶圆，环比增长7%。该公司透露，第二季度国际消费市场部分恢复，例如低功耗蓝牙、MCU等产品开始补单；得益于2024年体育年，电视、机顶盒相关产品销售增加，明显高于去年。

5.AMD源代码、固件等数据被盗 黑客寻求出售

此前有报道称，名为“Intelbroker”的组织在黑客论坛“BreachForums”上公布消息，声称在2024年6月的某一时刻入侵了AMD的系统，获得的数据包括AMD未来产品的详细信息、客户数据库、财务记录、源代码、固件和其他敏感信息。

全球第二大个人电脑处理器制造商AMD，正在调查公司数据被黑客盗窃的情况。AMD在一份声明中表示，“我们注意到一个网络犯罪组织声称拥有被盗的AMD数据。我们正与执法人员和第三方托管合作伙伴密切合作，调查这一说法以及被盗数据的重要性。”

为增强可信度，黑客组织公布了一些被盗数据的截图，包括AMD员工电子邮件地址和内部电话号码，但是这些信息记录备注为“未激活”，意味着这些员工已不在该公司工作，电子邮件也无效。

AMD发言人最新表示“根据调查，我们认为黑客在第三方供应商网站上获取了与组装某些AMD产品所用规格相关的有限信息，此次数据泄露不会对我们的业务或运营产生重大影响。”

6.美光台中“后里厂”发生火警？业界判断实际影响有限

当地媒体6月20日报道，美光（Micron）位于中国台湾地区台中市的后里厂当日下午发生火警。

消防部门声明，无人员受伤，起火原因正在调查中。据了解，起火区域厂区位于台中市后里区，应是美光台中三厂，并非整合先进封装功能，以量产HBM3E及其他产品的台中四厂，实际影响可能有限。

另有媒体报道指出，现场是气体供应室存放的高压气体钢瓶有烧损及泄漏情况，消防人员到场时已无燃烧情形，无人员受伤，燃烧面积2平方米。业界观察，美光火警地点应为旧厂区。

7.群创5.5代面板厂5.5亿美元卖给美光？公司回应

群创于2023年底关闭南科5.5代面板工厂（台南4厂），近期有消息称将把该工厂出售给美光，交易金额约为180亿元新台币（约合5.5亿美元），群创计划在7月底清空设备，将设备搬去台南3厂，此后将厂房移交给美光。

业界称，群创该工厂若决议出售，价格可能落在5.5亿美元至6.5亿美元区间（约合177亿元~194亿元新台币）。

对此消息，群创回应称，不对传言与臆测做任何评论，公司将持续专注本业与转型发展，以具有弹性的策略规划，致力于优化生产配置及提升整体运营效益，强化集团布局与发展。

据了解，群创近年来对面板生产线进行收缩，其中南科3.5代厂投入面板级封装（FOPLP），南科4代厂转型生产X光传感器；竹科竹南园区则将转为生产MiniLED以及MicroLED背板；至于已关闭的5.5代厂，用途一直悬而未决，市场传言称将出售给美光。

8.日本5月对华半导体制造设备出口额同比大增130.7%

官方数据显示，日本5月出口额连续第六个月增长，主要得益于汽车和半导体。其中，汽车出口额增长13.6%。芯片相关产品也有所增长，半导体制造设备出口额增长45.9%，包括半导体在内的电子元件增长24%。

根据日本财务省数据，按目的地划分，受半导体制造设备出口额同比增长130.7%的推动，对中国的出口额连续第六个月增长17.8%。日本5月对美国的出口额增长23.9%，达到1.7万亿日元；对亚洲的整体出口额增长13.6%；对欧盟的出口额下降10.1%。

此前数据显示，截至2024年3月的三个月里，是日本连续第三个季度将至少50%的半导体制造设备出口到中国，原因是中国对成熟制程相关设备的需求激增。日本贸易数据显示，中国占据半导体制造设备、机械零部件以及平面显示面板制造设备出货量的一半。

9.传台积电研发芯片封装新技术 从晶圆级转向面板级封装

知情人士称，台积电正在探索一种先进芯片封装的新方法，使用矩形面板状基板而不是传统的圆形晶圆，这将允许在每个晶圆上放置更多组芯片。该研究处于早期阶段，可能需要“几年”才能商业化，但它代表了台积电的重大技术转变，此前台积电认为使用矩形基板太具挑战性。

目前正在试验的矩形基板尺寸为510mm×515mm，可用面积是目前12英寸圆形晶圆的三倍多。矩形形状意味着边缘剩余的未使用面积会更少。

台积电先进的芯片堆叠和组装技术采用12英寸硅晶圆，这是目前最大的硅晶圆。台积电正在扩大其先进芯片封装产能，以满足不断增长的需求。据知情人士透露，中国台湾台中工厂的扩建主要是为了英伟达，而台南工厂的扩建是为了亚马逊及其芯片设计合作伙伴Alchip。

当被问及此事时，台积电表示“密切关注先进封装技术的进展和发展，包括面板级封装”。

以英伟达的H200和B200等AI计算芯片为例，仅使用最先进的芯片生产是不够的，还需要采用台积电首创的先进芯片封装技术CoWoS。例如，对于B200芯片组，CoWoS可以将两个Blackwell图形处理单元组合在一起，并将它们与八个高带宽存储（HBM）芯片连接起来，从而实现快速数据吞吐量和加速计算性能。

10.ASML拟于2030年推出Hyper-NA EUV光刻机，将芯片密度限制再缩小

ASML再度宣布新光刻机计划。ASML前总裁Martin van den Brink宣布，约在2030年将提供新的Hyper-NA EUV技术。将缩小最高电晶体密度芯片的设计限制。目前仍处于开发初期阶段的Hyper-NA将遵循High-NA系统，ASML今年初在英特尔奥勒冈厂首度安装High-NA系统。

van den Brink上月在比利时举行的imec ITF World演说指出，“长远而言，我们必须改善我们的光源系统，而且我们也必须采用Hyper-NA。与此同时，我们必须使我们所有系统的生产率提高到每小时400至500片晶圆”。

高数值孔径（High-NA）是将数值孔径（NA）从早期EUV工具的0.33 NA提高到0.55 NA。约三年前，ASML称，高数值孔径将协助芯片制造商在至少10年内达到2nm以下制程节点。现在ASML表示，约在2030年该公司将提供Hyper-NA，达到0.75 NA。不过，ASML也澄清，这是van den Brink关于Hyper-NA的愿景，目前该公司仍在进行可行性研究。

根据imec高级图案化项目总监Kurt Ronse的说法，这是ASML首度将Hyper-NA纳入其路线图。他与ASML合作开发曝光机超过30年。“现在有许多研究要进行，我们能否提高超越0.55至0.75、0.85？Hyper-NA肯定会带来一些新挑战”。

（校对/张杰）