版主信息与通信 2024-12-16

【专利】天马微电子“一种移位寄存器、显示面板及显示装置”专利获授权；天狼芯“改善雪崩耐量的超结MOS器件及制备方法、芯片”公布；中国科大研究团队提出过渡金属硫族化合物超晶格自组装的普适策略

1.天马微电子“一种移位寄存器、显示面板及显示装置”专利获授权

2.天狼芯“改善雪崩耐量的超结MOS器件及制备方法、芯片”专利公布

3.中国科大研究团队提出过渡金属硫族化合物超晶格自组装的普适策略

1.天马微电子“一种移位寄存器、显示面板及显示装置”专利获授权

天眼查显示，武汉天马微有限公司上海分公司近日取得一项名为“一种移位寄存器、显示面板及显示装置”的专利，授权公告号为CN115394235B，授权公告日为2024年10月29日，申请日为2022年10月13日。

本发明公开了一种移位寄存器、显示面板及显示装置，包括级联设置的多个移位寄存单元；移位寄存单元包括信号输入端、第一时钟端、第二时钟端和信号输出端；各级移位寄存单元用于根据第一时钟信号、第二时钟信号和信号输入端的输入信号，控制信号输出端输出的扫描信号；其中，各级移位寄存单元输出扫描信号的有效电平依次移位，且各级移位寄存单元输出的扫描信号的有效电平的移位量小于有效电平的宽度；同一移位寄存单元中，第一时钟信号的有效脉冲与第二时钟信号的有效脉冲互不交叠；信号输入端接收的输入信号的有效电平的时间与第一时钟信号的至少一个有效脉冲的时间交叠，以及与第二时钟信号的一个有效脉冲的时间交叠，能够有效提高显示效果。

2.天狼芯“改善雪崩耐量的超结MOS器件及制备方法、芯片”专利公布

天眼查显示，深圳天狼芯半导体有限公司“改善雪崩耐量的超结MOS器件及制备方法、芯片”专利公布，申请公布日为2024年10月29日，申请公布号为CN118866943A。

本申请属于功率器件技术领域，提供了一种改善雪崩耐量的超结MOS器件及制备方法、芯片，通过在第三N柱上设置栅极介质层、栅极多晶硅层，并在第三N柱与第二P柱之间设置掺杂浓度较高的第一N柱，在第三N柱与第三P柱之间设置掺杂浓度较高的第二N柱，在第一P柱与第一N柱之间设置较高掺杂浓度的第二P柱，在第二N柱与第四P柱之间设置较高掺杂浓度的第三P柱，使得器件内的电场更加均匀，器件在击穿时，器件内的电流分布可以更加均匀，提升了器件的击穿电压和雪崩耐量。

3.中国科大研究团队提出过渡金属硫族化合物超晶格自组装的普适策略

近日，中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家研究中心国际功能材料量子设计中心和物理系中国科学院强耦合量子材料物理重点实验室曾长淦教授、张汇副研究员实验团队联合崔萍研究员理论团队，在过渡金属二硫化物（TMDs）研究领域取得了重要进展。他们提出了一种通用的自组装策略，成功合成了1T/1H超晶格，为多功能电子器件的开发提供了新的可能性。相关研究成果以“Self-assembly of 1T/1H superlattices in transition metal dichalcogenides”为题，于12月4日在线发表在《自然·通讯》（Nature Communications）上。

近年来，TMDs因其丰富的物理性质受到广泛关注。由TMDs构成的范德华异质结和超晶格不仅能够展现各组分的固有特性，还通过层间相互作用产生超越单一组分的电子结构和功能特性。然而，传统的TMD异质结和超晶格制备方法主要依赖于外延生长或二维材料的机械堆叠，这些逐层人工构建技术通常复杂且耗时，制备效率和样品质量受到限制。

研究团队提出了一种基于自组装的通用策略，成功实现了TMD超晶格的高效合成。该策略的核心在于通过调控T相和H相的形成能，使T相和H相能够自发组装成1T/1H超晶格。以NbSe2-xTex为例，通过调整Te与Se的化学计量比，显著降低了T相与H相之间的形成能差异，从而促进1T与1H层的交替自组装，最终形成稳定的1T/1H超晶格。进一步研究表明，这种1T/1H超晶格保留了1T和1H层各自的电子特性，为新型电子器件和光电子器件的开发提供了重要的材料基础。

此外，研究团队还验证了该策略的普适性。通过将NbSe2中的Nb原子替换为V或Ti原子，他们同样成功合成了1T/1H超晶格。这些发现为其他层状材料的高效制备开辟了新的途径。