【公布】武汉新芯“半导体测试结构及半导体测试方法”专利公布

1.武汉新芯“半导体测试结构及半导体测试方法”专利公布

2.通富微电 “基岛、封装框架及电子设备”专利获授权

3.大普微电子“一种基于芯片内部的通信方法、装置、芯片及介质”专利公布

1.武汉新芯“半导体测试结构及半导体测试方法”专利公布

集微网消息，天眼查显示，武汉新芯集成电路制造有限公司“半导体测试结构及半导体测试方法”专利公布，申请公布日为2024年3月26日，申请公布号为CN117766517A。

本发明提供一种半导体测试结构及半导体测试方法，半导体测试结构包括：衬底、栅氧层和栅极层；浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构所包围的所述衬底为有源区，所述栅氧层和所述栅极层自下向上形成于部分所述有源区上，所述有源区的面积与所述栅极层的面积之比大于2。本发明的技术方案使得对栅氧层的寿命推测的更加准确。

2.通富微电 “基岛、封装框架及电子设备”专利获授权

集微网消息，天眼查显示，通富微电子股份有限公司近日取得一项名为“基岛、封装框架及电子设备”的专利，授权公告号为CN220672578U，授权公告日为2024年3月26日，申请日为2023年5月18日。

本实用新型公开了一种基岛、封装框架及电子设备，该基岛上开设有导流凹槽，导流凹槽经过基岛的中心。该基岛提高了胶的沾润率以及厚度，并且使得胶不易污染芯片表面。

3.大普微电子“一种基于芯片内部的通信方法、装置、芯片及介质”专利公布

集微网消息，天眼查显示，深圳大普微电子股份有限公司“一种基于芯片内部的通信方法、装置、芯片及介质”专利公布，申请公布日为2024年3月26日，申请公布号为CN117762862A。

本发明公开了一种基于芯片内部的通信方法、装置、芯片及介质，涉及通信技术领域。整个通信传输过程，无需点对点通信方式，加入队列管理器的虚拟队列、交互通信路径（发送实际队列和接收实际队列）具体的路由方式实现通用性，将其数据交互方式进行统一管理，通信方式的选择仅在队列管理器内完成，利用交互通信路径完成信息通信，大大减少芯片内部因点对点通信导致的高速接口数量较多占用的芯片面积较大的困扰，同时减少制造成本。相对于现有的通信频率较低时由于点对点通信导致对应的高速接口无法使用的同时产生功耗，本发明在对应的路由方式下通过不同的发送实际队列和接收实际队列实现高速通信接口的高利用，避免通信路径单一。