【公布】长鑫存储“一种半导体结构及其制造方法”专利公布；

1.长鑫存储“一种半导体结构及其制造方法”专利公布；

2.开元通信“功率检测装置及射频前端模组”专利公布；

3.合肥康芯威“一种存储芯片的检测系统及检测方法”专利公布；

1.长鑫存储“一种半导体结构及其制造方法”专利公布；

集微网消息，天眼查显示，长鑫存储技术有限公司“一种半导体结构及其制造方法”专利公布，申请公布日为2024年3月8日，申请公布号为CN117673115A。

一种半导体结构及其制造方法，所述半导体结构包括：衬底；栅极结构，位于所述衬底上；第一侧墙层，包括第一子部和第二子部，所述第一子部覆盖部分所述衬底，所述第二子部覆盖所述栅极结构的侧壁；第二侧墙层，位于所述第一子部上且覆盖所述第二子部的侧壁；载流子屏蔽层，包括第一子屏蔽层，所述第一子屏蔽层位于所述第二侧墙层的下方，且位于所述第一子部的上方。

2.开元通信“功率检测装置及射频前端模组”专利公布；

集微网消息，天眼查显示，开元通信技术(厦门)有限公司“功率检测装置及射频前端模组”专利公布，申请公布日为2024年3月1日，申请公布号为CN117639800A。

本公开提供了一种功率检测装置及射频前端模组，可以应用于无线通信领域。该功率检测装置包括：耦合器，包括耦合连接的第一耦合部和第二耦合部，第一耦合部被配置为连接功率检测电路，第二耦合部被配置为设置在功率放大器的匹配电路中；以及功率检测电路，被配置为连接基带芯片，功率检测电路被配置为通过利用耦合器耦合匹配电路，来检测功率放大器的功率，将功率放大器的功率转换为电压值，并将电压值反馈给基带芯片，其中，基带芯片被配置为基于电压值调整向功率放大器输出的功率。

3.合肥康芯威“一种存储芯片的检测系统及检测方法”专利公布；

集微网消息，天眼查显示，合肥康芯威存储技术有限公司“一种存储芯片的检测系统及检测方法”专利公布，申请公布日为2024年3月1日，申请公布号为CN117637012A。

本发明提供一种存储芯片的检测系统及检测方法，检测系统包括平台测试模块，用以测试待测芯片的工作状态，当所述待测芯片处于正常工作状态时，所述平台测试模块将所述待测芯片的正常数据传递给主机，以生成所述待测芯片正常工作状态下的测试结果；以及分析子板模块，与所述平台测试模块通信连接；其中，当所述待测芯片处于异常工作状态时，所述分析子板模块向所述平台测试模块发送控制指令，使得所述待测芯片处于调试模式，所述分析子板模块将所述待测芯片的异常数据传递给主机，以生成所述待测芯片异常工作状态下的测试结果。本发明可以在存储芯片不解焊的情况下，获取其无法实现错误检查和纠正的原因。