版主 【头条】泉州南翼国家高新区南安片区发展大会定档4月8日，爱集微协办
1.泉州南翼国家高新区南安片区发展大会定档4月8日，爱集微协办
2.美国商务部更新半导体出口管制新规 当地时间4月4日生效
3.美国施压韩国限制对华出口半导体技术 外交部回应
4.HBM走俏，暗战打响
5.美国出口管制“修补”漏洞：美企为何密集访华“救场”？
6.芯片价格上涨，三星Q1利润同比增长8倍至5.7万亿韩元
7.台积电：地震后设备复原率已超过7成 主要设备无受损
8.英伟达：预计地震不会对芯片供应造成任何影响
1.泉州南翼国家高新区南安片区发展大会定档4月8日，爱集微协办
2024年4月8日，“新质南翼·未来新极”泉州南翼国家高新区南安片区发展大会将在南翼高新区源昌凯宾海景大酒店隆重举办。
本次大会由泉州南翼国家高新区建设指挥部指导，中共南安市委、南安市政府，泉州半导体高新技术产业园区管理委员会主办，泉州南翼国家高新区建设指挥部南安市分指挥部，泉州芯谷南安分园区办事处承办，爱集微协办，旨在共话产业发展、共探全新商机，培育发展新质生产力，推动形成高质量发展内生动能。
大会主要形式为“会议+企业路演+园区参观”，预计参会人员规模300人，包括泉州相关党政领导、科研院所及协会、投资机构、业内知名企业和行业专家等各界嘉宾将出席。
作为泉州“一湾两翼三带”城市总体空间布局的重要组成部分，泉州南翼国家高新区承载着泉州建设战略性新兴产业高地等重要功能。在这一背景下，本次大会凸显出多项重要亮点。
一是新质生产力集聚。近年来，在传统产业发达和民营资本活跃的基础上，泉州大力布局半导体、集成电路等新兴产业，已汇集存储器制造企业福建晋华、封测大厂渠梁电子、三代半企业泉州三安等一批龙头企业和重点项目，初步具备半导体产业完整供应链。
例如在融入国家战略同时，泉州南翼国家高新区南安区域绘制“2+1”新赛道体系产业图谱，以新质生产力推动高质量发展，前瞻布局一批新兴产业、未来产业，厚植未来发展新优势。泉州南翼国家高新区揭牌成立以来，南安区域共招引产业项目74个、总投资505.2亿元，其中已落地项目53个。重点龙头企业泉州三安稳步释能，年产值超55亿元；利昌新材料年产值近7亿元，半导体产业集聚效应初显。
二是政策支持力加强。伴随着产业持续转型升级，泉州政府出台了一系列政策，包括招引奖励、人才补贴、税收优惠等，较国内同级地区力度更大。例如2023年11月，泉州市通过《关于支持半导体产业人才引进的若干措施》，涉及住房保障、子女就学等5方面8条措施，全力打造半导体专业人才集聚“强磁场”。
三是金融护航力充裕。在资金方面，泉州成立了产业升级投资基金，总规模达100亿元，为企业技改和研发投入提供高效率、低成本融资等支持，从而解决企业资金后顾之忧。
同时，大会本身具有多重亮点。首先，会议规格高、对接范围广，可为企业和机构直接1对1链接政府高层、产投基金负责人。其次，嘉宾覆盖多元、代表性强，大会拟邀的各界人士身份多元且行业资源、经验丰富，而且各知名企业机构、行业专家等也将分享专业洞见。另外，优质项目齐聚。经过严格筛选，各企业路演项目均具备战略布局或快速发展等属性。
在议程设置上，大会主要包括政策与行业趋势交流会、项目分享会以及考察参观三大环节，不仅可全方位了解泉州南翼国家高新区的招商图谱、项目发展等概况，新质生产力及智能机器人等新赛道的演进趋势，也将深度接触各大企业的关键项目路演，密切融通、通力合作。
无论是本次大会还是背后的配置“底色”，无不彰显着泉州半导体产业发展的旺盛活力。
为了加强企业与产业机构的进一步交流，本次大会在园区考察参观环节特别安排了泉州三安半导体科技有限公司、泉州芯谷南安科创中心和联东U谷·南安半导体科技产业港等。其中，泉州三安半导体项目总投资达333亿元，是园区首个百亿元龙头项目，得益于南安分园区的区位优势、政策扶持、环境配套，加上三安光电自身在福建省的基础产业优势和影响力，三安半导体项目进展顺利。芯谷南安科创中心总投资20亿元，一期建设完成，二期正在加快建设，作为芯谷南安分园区重点规划建设的科创载体之一，项目以化合物半导体芯片制造为发展主线，规划建设商务写字楼、展示中心、研发及生产型厂房、企业孵化器及加速器、生活配套等。联东U谷·南安半导体科技产业港总投资超12亿元，达产后年产值超20亿元，将建设成集智能工厂、技术研发平台、创新中心等功能的专业性园区，打造成规模化、集群化、智慧化的新型产业发展平台。
毋庸置疑，作为汇聚高端行业洞见、资本与资源等的绝佳交流平台，本次大会将最大程度发挥和增强关键平台、阶梯和桥梁作用，凝聚共识、互通互进、共谋未来。高鹏展翼向“新”行，聚力共赢待君至。泉州南翼国家高新区南安区域正乘借东风、厚积薄发、奋力迈进打造万亿泉州新增长极新征程。来南安，会成功。泉州南翼国家高新区南安区域这片发展热土期待您的加盟，与我们一道踔厉奋发向成功，扬帆筑梦创未来！
会议联系人：林先生 13860491091
集微网消息，近日美国商务部更新半导体出口管制新规，包括加入对EUV掩膜、刻蚀机等制造环节设备的管控，新增对中国澳门地区及D:5组地区采取“推定拒绝”的政策，以及重新澄清AI芯片许可证及其例外情况的适用范围等，预计新规于美国当地时间4月4日生效，对新规的评议截止日期为4月29日。
据浙商电子等研报显示，美国BIS更新的对华出口管制新规的核心变化包括：
第一，新增管制EUV掩膜基板。尤其是为EUV光刻设计的掩膜基板被正式纳入了相关的出口控制类别，并且需要遵守相应的出口许可要求。
第二，更新特定地区出口政策。对于中国澳门或国家组D:5目的地的出口、再出口或国内转移，需要获得出口许可证，其中包括最终用途和最终用户的审查，并采取“假定拒绝”政策。
第三，明确部分技术关键参数。对于集成电路的“总处理性能”（TPP）和“性能密度（PD）”定义及计算方法进行进一步明确。其中，TPP是基于MacTOPS（百万次乘积累加操作每秒）的理论峰值计算，性能密度是TPP除以适用的芯片面积。
第四，补充整机产品的限制。计算机、电子组件和组件若包含特定性能参数的集成电路，比如总处理性能或性能密度超出范畴，则需要接受出口管制。
第五，增加逐案审查政策。对包括AI在内的高性能芯片和相关制造技术的出口，采取“逐案审查”政策，并将考虑技术级别、客户身份、合规计划和合同的规范性等多种因素。
其中，新规对高性能AI芯片的界定是关键重点。
中泰电子的研报显示，美国商务部对高性能芯片的定义（3A090）标准，仍是基于2023年10月的更新，即：（1）TPP（注：总处理性能）≥4800；（2）TPP≥1600且PD（注：性能密度）≥5.92；（3）2400≤TPP＜4800且1.6≤PD＜5.92；（4）TPP≥1600且3.2≤PD小于5.92。
同时，其多项重要更新还包括：添加3A001.z段落，新增对MMIC放大器和离散微波晶体管的控制，特定用于民用电信应用的设备除外；对于半导体设备（3B001）的修订，对分子束外延生长设备、化学气相沉积（CVD）设备、原子层沉积（ALD）设备等增加了新的控制措施；澄清某些条款，以确保出口、再出口或国内转移物品符合特定许可例外的条件等。
另外，新规还提及关于先进计算设备、超级计算机和半导体最终用途的额外出口控制，即对向中国出口芯片的限制也适用于包含相关芯片的笔记本电脑等。
此前中国商务部发言人对“美国修订半导体出口管制措施”回应称，中方注意到，美方修订了半导体出口管制措施，这距离美上次出台措施仅半年不到。包括美国企业在内的各国企业都希望有一个稳定、可预期的经营环境。美方泛化国家安全概念，肆意修改规则，加严管制措施，不仅给中美两国企业开展正常经贸合作设置了更多的障碍，施加了更重的合规负担，还给全球半导体产业造成了巨大的不确定性。这严重影响中外企业开展互利合作，损害其正当合法权益。中方对此坚决反对。
中国商务部发言人表示，半导体产业高度全球化，经过数十年发展，已形成你中有我、我中有你的产业格局，这是市场规律和企业选择共同作用的结果。中国是全球最大的半导体市场。中方愿与各方一道，加强互利合作，促进全球半导体产业链供应链的安全与稳定。
3.美国施压韩国限制对华出口半导体技术 外交部回应
集微网消息，4月3日，有记者在外交部例行记者会上提问称，美国正要求韩国对向中国出口的半导体技术采取类似于美国已经采取的限制措施，这是拜登政府正加大力度挫败中国芯片“野心”的又一迹象。外交部对此有何回应？
外交部发言人汪文斌对此表示，国与国之间开展贸易科技合作，应当有利于维护全球产供链稳定畅通，维护自由开放的国际经贸秩序，不应针对第三方或损害第三方利益。美方为维护自身霸权，将经贸科技问题政治化、工具化、武器化，为此不惜牺牲盟友的利益。
汪文斌强调，中韩经济联系密切，产供链高度互嵌，半导体产业互为上下游，希望韩方作出正确判断，自主决策，与各方一道共同维护以世界贸易组织为核心，开放、透明、包容、非歧视的多边贸易体系，共同抵制将经济问题泛政治化、泛安全化的行径。
4.HBM走俏，暗战打响
集微网报道 （文/姜羽桐）存储器件王位“易储”，HBM新君登基。
2023年年中以来，生成式人工智能浪潮叠加产业周期变化，半导体细分产品纷纷打起“翻身仗”。受算力驱动，HBM存储器优势凸显，在AI时代迅速击落GDDR、LPDDR在内的竞争对手，价格狂飙、需求暴增：美光 CEO Sanjay Mehrotra 在2023年年底的财报会议上透露，其2024年的HBM产能预计已全部售罄；SK海力士副总裁 Kim Ki-tae 表示，虽然2024年刚开始，但旗下的HBM已全部售罄。
当存储三巨头（SK海力士、三星、美光科技）围绕HBM进行升级、扩产的那一刻，意味着蛰伏十年之久、发展至第六代的HBM终于甩去“成本高昂”的束缚，以强悍性能步入存储市场，搅动风云：SK海力士市值突破千亿美元、台积电CoWoS先进封装产能告急、DRAM投片量面临挤压……
但必须警惕的是，若只将HBM视作存储领域的一项新兴技术而在战术上亦步亦趋，若只瞄准ChatGPT、Sora等生成式人工智能而忽视背后痛点，是要犯战略错误的。我国半导体从业者需清晰认识到，倘若HBM在内的存储领域受到长期遏制，我国相关产业发展将继先进制程、GPU后，再失先手。正如电子科技大学长三角研究院（湖州）集成电路与系统研究中心副主任黄乐天所说：“就好像一把枪，子弹供应跟不上，射速再快也没用。无法解决HBM问题，我国算力就难以提升，人工智能在内的诸多产业发展就将受限。”
HBM，一场无声的暗战。
“带宽之王”狂飙，HBM无敌手
狂飙的HBM究竟有何魔力？HBM（High Bandwidth Memory，高频宽存储器）属于DRAM（动态随机存取存储器）中的一个类别，具有高带宽、大容量、低延迟的DDR DRAM组合阵列。
AI时代，算力可以轻松破T（TOPS，每秒万亿次运算），但存储器带宽破T（TB/s，每秒万亿字节带宽）则异常艰难。在需要高算力又需要大数据的应用场景下，存储数据吞吐能力的不足被无限放大，出现所谓的“存储墙”。
图源：Rambus
想要增加带宽，最简单粗暴的方法是增加数据传输线路的数量。当前，HBM由多达1024个数据引脚组成，其内部数据传输路径随着每代产品的发展而显著增长——以SK海力士推出的HBM3E为例，其作为HBM3的扩展（Extended）版本，最高每秒可以处理1.15TB数据；三星的HBM3E“Shinebolt”经初步测试，最大数据传输速度预计达1.228TB/s。鉴于如此强大的带宽性能，市面上大部分存储器产品都难以在该领域击败HBM，唯一的胜出者只能是下一代HBM。
HBM技术自2013年在半导体市场崭露头角以来，已扩展至第一代（HBM）、第二代（HBM2）、第三代（HBM2E），目前正步入第四代（HBM3）、第五代（HBM3E），而第六代（HBM4）也已蓄势待发。
业内判断，HBM作为今后AI时代的必备材料，虽然在内存市场中比例还不大，但盈利能力是其他DRAM的5~10倍。日前，市场调研机构Yole Group发布的数据进一步印证了这一点。Yole预计，今年HBM芯片平均售价是传统DRAM内存芯片的5倍。而考虑到扩产难度，HBM价格预计在相当长一段时间内将保持高位。
鉴于HBM目前无可撼动的市场地位，以及紧张的产能和昂贵的价格，业界是否可以通过牺牲某项性能而另寻方案，譬如使用潜在替代者GDDR、LPDDR？事实上，英伟达较早期的GTX 1080、GTX 2080Ti、GTX 3090也的确采用了GDDR技术。
一位国内芯片企业负责人接受集微网采访时指出，HBM紧缺的产能令其价格一直维持在高位，但随着大模型训练成熟，逐渐进入大规模推理部署阶段，将不得不面对性价比的问题。推理场景中，算力成本至关重要，事实上目前各个大模型厂商也均在探索更高性价比的推理方案。譬如使用GDDR或LPDDR等方案获得更高的性价比，英伟达及国内厂家的推理板卡也不同程度上使用GDDR方案作为替代。
“GDDR本身存在颗粒容量不足的顾虑，在模型参数规模日渐增长的趋势下，如果单卡或者单节点无法提供足够的显存容量，反而会降低单卡的计算效率。但随着GDDR7（其更加兼顾AI场景对带宽和颗粒容量密度的需求）逐步商业化，预计HBM价格也将伴随产能释放而逐步下降，未来在过渡期内还将是多方案共存的状态。”该人士表示。
HBM走俏，CoWoS吃紧
HBM的大火正快速推高市场规模以及预期。市场调查机构Gartner预测，2022～2027年，全球HBM市场规模将从11亿美元增至52亿美元，复合年均增长率（CAGR）为36.3%。高盛甚至给出了翻倍的预期，预计市场规模将在2022年（23亿美元）到2026年（230亿美元）前增长10倍（CAGR77%）。
在催动先进封装的同时，HBM的产能却显得捉襟见肘。
具体地看，HBM由多个DRAM堆叠而成，利用TSV（硅通孔）和微凸块（Microbump）将裸片相连接，多层DRAMdie再与最下层的Basedie连接，然后通过凸块（Bump）与硅中阶层（interposer）互联。HBM与GPU、CPU或ASIC共同铺设在硅中阶层上，再通过CoWoS等2.5D封装工艺相互连接，硅中介层通过CuBump连接至封装基板上，最后封装基板再通过锡球与下方PCB基板相连。
图片：使用HBM的2.5D封装
由此，台积电的CoWoS技术成为目前HBM与CPU/GPU处理器集成的理想方案。HBM高焊盘数和短迹线长度要求需要2.5D先进封装技术，目前几乎所有的HBM系统都封装在CoWoS上，而高端AI服务器也基本使用HBM。这样看起来，几乎所有领先的数据中心GPU都是台积电封装在CoWos上的。黄仁勋在NVIDIA GTC 2024大会期间更是直白喊话，英伟达今年对CoWos的需求非常大。
产业人士指出，CoWoS封装所需中介层材料，因高精度设备不足和关键制程复杂，中介层材料供不应求，牵动CoWoS封装排程及AI芯片出货。
2022年以来，ChatGPT为代表的人工智能带动AI芯片抢购潮，英伟达、AMD为代表的国际大厂纷纷下单，并均采用台积电CoWoS先进封装。大厂“分食”之下，CoWoS产能吃紧。
台积电总裁魏哲家在1月的法说会上称，计划今年将CoWoS先进封装产能增加一倍，并计划在2024年进一步扩充。相关数据显示，去年12月台积电CoWoS月产能已经增至1.4万～1.5万片，预估到今年第四季度，CoWoS月产能将大幅扩充至3.3万～3.5万片，这与魏哲家“产能增加一倍”的说法基本吻合。而最新消息，台积电将在嘉义科学园区设两座CoWoS先进封装厂，首厂预计5月动工，2028年量产。
良率低、散热难，HBM“妥协”
市场调研机构集邦预估，2024年底HBM产值占整体DRAM比重有望攀至20.1%的水平。集邦科技资深研究副总经理吴雅婷表示，在相同制程及容量下，HBM颗粒尺寸较DDR5大35%～45%；良率（包含TSV封装良率），则比起DDR5低约20%～30%；生产周期（包含TSV）较DDR5多1.5～2个月不等。
HBM在市场上“攻城略地”的同时，也面临良率低、散热难等方面问题。
首先是低良率遏制产能。HBM制造过程中，垂直堆叠多个DRAM，并通过 TSV将它们连接起来，由高层向下打孔，通过整个硅片做信号通道；一般技术是信号引脚从侧面左右两边拉下来，而HBM是从中间直接打孔，在极小的裸片上打1000多个孔，并涉及多层；封装过程中，由于线路多且距离近，封装时的干扰、散热等问题均有可能影响线路。这意味着，上述任何阶段的失败都可能导致一枚芯片的废弃。此前有传闻称三星HBM3芯片生产良率仅10%～20%，三星予以坚决反驳，称“这不是真的”。
其次是散热之困。“85℃左右它开始忘记东西，125℃左右则完全心不在焉，”这是业界对DRAM在热量面前尴尬表现的调侃。黄乐天认为，这种说法并不是很客观。存储器相对于处理器等逻辑电路，无论从峰值功耗还是功率密度而言都不算高，之所以存在散热问题，是由于3D-IC堆叠造成的。无论是哪种芯片，只要使用3D堆叠的方式就不可避免有热量聚集，如同多条电热毯堆在一起，热量自然无法散发。
“事实上，散热问题是影响3DIC商用化的主要问题。3DIC早在20年前就被提出，但由于解决不好散热，只能在某些可以不计成本加入微流道能强力散热机制的场景中应用。HBM可视作在2D和3D之间寻求妥协，采用存储器件3D、逻辑器件2D的方式，尽量避免热量集中。”黄乐天告诉集微网。
存储大厂起干戈，走向技术分野
2013年，SK海力士与AMD合作开发世界上的首个HBM，率先“挥师入关”。有数据显示，2023年SK海力士市占率预计为53%，三星市占率38%、美光科技市占率9%——令人不禁感慨，AI的风口还是吹到了韩国。
进入HBM3E时代后，尽管有市场份额的差别，但三大存储厂鼎足而立的格局并未打破，SK海力士、三星和美光科技的技术路线也不尽相同。
图源：SK中国
2023年8月，SK海力士宣布开发HBM3E。仅7个月后，SK海力士即宣布率先成功量产HBM3E，并将在3月末开始向客户供货。其表示，该产品在速度方面，最高每秒可以处理1.18TB（太字节）的数据，其相当于在1秒内可处理230部全高清（FHD）级电影。
据悉，SK海力士在新产品上采用Advanced MR-MUF最新技术，散热性能与前一代相比提升10%。（MR-MUF：将半导体芯片堆叠后，为保护芯片和芯片之间的电路，在其空间中注入液体形态的保护材料，并进行固化的封装工艺技术。与每堆叠一个芯片时铺上薄膜型材料的方式相较，工艺效率更高，散热方面也更加有效。）
图源：三星
2月27日，三星电子宣布成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H，这是其目前为止容量最大的HBM产品。从性能指标上看，HBM3E 12H支持全天候最高带宽达1280GB/s（约1.25TB/s），产品容量也达到36GB。相比三星8层堆叠的HBM3 8H，HBM3E 12H在带宽和容量上大幅提升超50%。
公开资料显示，HBM3E 12H采用先进的热压非导电薄膜（TC NCF）技术，使得12层和8层堆叠产品的高度保持一致。三星一直在努力降低其非导电薄膜（NCF）材料的厚度，并实现芯片间的间隙最小化至7微米（µm），同时消除层与层之间的空隙。值得一提的是，三星非导电薄膜技术曾引起外界争议，认为这是导致其良率不高的主要原因。
图源：美光科技
美光科技作为HBM领域“后来者”，已于3月宣布开始量产其HBM3E高带宽内存解决方案。英伟达 H200 Tensor Core GPU 将采用其8层堆叠的24GB容量HBM3E内存，并在第二季度开始出货。其HBM3E引脚速率超9.2Gb/s，提供超1.2TB/s的内存带宽。
技术路径上，美光科技利用其1β（1-beta）技术、先进的硅通孔（TSV）和其他实现差异化封装解决方案的创新技术开发出业界领先的 HBM3E 设计。
存储三大厂厮杀激烈、各祭法宝的另一面，是国内存储行业在企业体量、技术实力等方面均有不足，围绕HBM研发工作较为困难的现实，但诸多信号显示它们并未将该市场拱手相让。日前，武汉新芯发布《高带宽存储芯粒先进封装技术研发和产线建设》招标项目，这一举动显示其对HBM市场的看重。
黄乐天认为，HBM技术的攻克尽管困难，但依然要着手准备。中美芯片竞争经历数个回合的拉扯，已经发生根本性变化，相较于数年前的乱打一气，美国对我国芯片产业正形成定点遏制的倾向。其遏制的焦点在于阻止我国高端芯片尤其是大算力芯片的研制和生产，通过阻止我国算力提升来拖慢人工智能等数字产业的发展，存储带宽受限将直接阻碍芯片乃至整个计算系统算力提升。
5.美国出口管制“修补”漏洞：美企为何密集访华“救场”？
集微网报道（文/陈兴华）美国对中国半导体限制呈现层层加码的趋势。
距离上一次修订不到半年时间，美国商务部BIS近日再次更新半导体出口管制新规。根据细则内容，新规是对以往政策的“小修小补”，但也不乏多项核心变化。
尽管美国对先进芯片的出口管制标线已趋于稳定，但对所谓“漏洞”的修补可能将越来越多、越来越快，这或再给全球半导体行业带来一次次沉重打击。与此同时，无论是外部限制还是内部需求导向，国产化和信息安全将成为中国半导体行业的发展趋势之一。
呈现多项核心变化
作为限制对华出口高端AI芯片的最新动向，美国商务部BIS发布的相关新规旨在对2022年10月和2023年10月出口管制规则中的错误进行纠正，并对一些细节进行补充和澄清，预计4月4日正式生效，对新规的评议截止日期为4月29日。
据浙商电子等研报显示，美国BIS更新的对华出口管制新规的核心变化包括：
第一，新增管制EUV掩膜基板。尤其是为EUV光刻设计的掩膜基板被正式纳入了相关的出口控制类别，并且需要遵守相应的出口许可要求。
第二，更新特定地区出口政策。对于中国澳门或国家组D:5目的地的出口、再出口或国内转移，需要获得出口许可证，其中包括最终用途和最终用户的审查，并采取“假定拒绝”政策。
第三，明确部分技术关键参数。对于集成电路的“总处理性能”（TPP）和“性能密度（PD）”定义及计算方法进行进一步明确。其中，TPP是基于MacTOPS（百万次乘积累加操作每秒）的理论峰值计算，性能密度是TPP除以适用的芯片面积。
第四，补充整机产品的限制。计算机、电子组件和组件若包含特定性能参数的集成电路，比如总处理性能或性能密度超出范畴，则需要接受出口管制。
第五，增加逐案审查政策。对包括AI在内的高性能芯片和相关制造技术的出口，采取“逐案审查”政策，并将考虑技术级别、客户身份、合规计划和合同的规范性等多种因素。
其中，新规对高性能AI芯片的界定是关键重点。
中泰电子的研报显示，美国商务部对高性能芯片的定义（3A090）标准，仍是基于2023年10月的更新，即：（1）TPP（注：总处理性能）≥4800；（2）TPP≥1600且PD（注：性能密度）≥5.92；（3）2400≤TPP＜4800且1.6≤PD＜5.92；（4）TPP≥1600且3.2≤PD小于5.92。
同时，其多项重要更新还包括：添加3A001.z段落，新增对MMIC放大器和离散微波晶体管的控制，特定用于民用电信应用的设备除外；对于半导体设备（3B001）的修订，对分子束外延生长设备、化学气相沉积（CVD）设备、原子层沉积（ALD）设备等增加了新的控制措施；澄清某些条款，以确保出口、再出口或国内转移物品符合特定许可例外的条件等。
此外，日前还有消息指出，美国政府正在制定一份禁止接收关键工具的中国先进芯片制造工厂名单，以便美国企业更容易阻止技术流入中国，该名单可能会在未来几个月内公布。
新规涉及AI PC芯片
在过去两年拟定的法律政策基础上，此次美国商务部BIS公布的新规是对半导体制造物品出口控制的修订和澄清的临时最终规则。显然，这份166页的规定在针对半导体项目出口上呈现出愈加收紧的态势，将使中国更难获取美国的先进人工智能芯片和芯片制造工具。
根据内容细则，新规没有改变美国要限制的半导体制程标线。北京半导体行业协会副秘书长朱晶在社交媒体发文表示，这是一次小修小补。长期看，这种修补会越来越多、越来越快。
她还称，美国对先进芯片的出口管制标线已趋于稳定。这次（BIS公布的半导体出口管制新规）就是解释了TPP和性能密度的算法，对不用于数据中心但满足受控AI芯片性能参数的芯片，以及不属于受控AI芯片但性能接近的芯片，BIS会进行逐案审查。
值得注意的是，新规还提及关于先进计算设备、超级计算机和半导体最终用途的额外出口控制，即对向中国出口芯片的限制也适用于包含相关芯片的笔记本电脑等。
中银证券表示，新规限制涉及AI PC，根据IDC预估，2023-2028年，中国AI PC（AI笔记本电脑和AI台式电脑）渗透率将从8.1%上升至84.6%，中国AI PC市场将快速增长。但美国新规预计将对中国AI PC供应链造成影响，AI PC芯片国产化重要性凸显。
如今，全球AI PC产业的发展迅速，但仍处于迸发“前夜”。资深电信行业分析师马继华在接受媒体采访时称，AI芯片在笔记本电脑上的使用尚未广泛，短期内可能不会出现大规模应用。人工智能在笔记本电脑上的实际应用，当前主要集中在游戏、图形显示和娱乐方面。
对于BIS更新新规的动机，马继华称，近年来美国正在不断加大对华高科技出口限制力度，从高端芯片扩大到更多传统芯片，从智能手机芯片扩大到电脑芯片。“这次最新限制只是美国政界人士在尝试其他途径后，特别是在选举期间对中国表现出强硬立场的另一种方式。”
相关专家和企业高管表示，美国新一轮收紧对华芯片出口限制，再次凸显其正在利用政治力量扰乱正常商业合作，这将给全球半导体行业带来又一次沉重打击，同时将促使中国企业投入更多资源进行研发，以实现关键零部件的突破，并在未来更多战略技术上占据滩头阵地。
中国商务部发言人则表示，美方不断泛化国家安全概念，滥用出口管制措施，实施单边霸凌行径。中方对此强烈不满，坚决反对，将采取一切必要措施，坚决维护自身正当权益。
合作共赢是“正道”
无论如何，美国对中国半导体限制呈现层层加码，凸显出中国半导体尤其是人工智能和半导体制造设备产业链自主可控、稳中有进，以及应对各种潜在风险的诉求愈发迫切。
朱晶认为，成熟制程芯片可能成为下个战场。但美国的制裁策略不是卡供应链，而是卡市场，并且有可能联合欧洲等其他国家共同使用贸易工具打击中国的成熟制程芯片产业。
她还指出，对先进芯片制造设备，美国现在的策略可总结为：卡住设备增量、等待存量耗尽。新增的管制重点在于备品备件，以及对个别重点厂商的更严格封锁。
对此，科技政策自媒体“东不压桥研究院”微信公众号刊发文章《对美国更新半导体出口管制的分析及对未来的几个判断》持有类似观点。该文还称，美国会继续协调盟友搭建多边管制。从长期看，这是最有效的管制方法，虽然大部分进展在水下，但非常值得关注。
同时，中国公司在RISC-V架构上的投入正引起美国越来越多关切，但美国缺乏制裁的工具。因为在实操层面，控制中国使用RISC-V技术很难，美国商务部BIS目前无法限制RISC-V标准的发布或中国公司参与，最多只能基于属人管辖权限制美国公司的参与。
正值美国政府收紧半导体出口限制之际，中国半导体尤其是人工智能和半导体制造设备产业链对自主可控的诉求愈发迫切，而美国芯片制造商不得不加大力度保住中国市场。
根据商务部消息，近日，商务部部长王文涛分别会见美光科技总裁兼CEO桑杰·梅赫罗特拉、高通总裁兼CEO安蒙以及AMD董事会主席兼官CEO苏姿丰等多家美国半导体公司高管。他们均表达了对中国市场的承诺和寻求合作的意愿。
其中，3月27日美光位于西安的封装和测试新厂房正式破土动工，这是其去年6月宣布追加43亿元投资计划的部分项目。桑杰·梅赫罗特拉表示，“美光将严格遵守中国法律法规，并计划扩大在华投资，满足中国客户需求，为中国半导体行业和数字经济发展贡献力量。”
安蒙表示，高科技产业需要各国密切协作，高通期待美中两国政府为双方企业投资经营创造稳定预期与良好环境。高通将继续与中国合作伙伴共同开展创新合作。苏姿丰则称，“中国是AMD公司全球战略的重点之一。公司将继续加大对华投入，携手本地合作伙伴，为中国市场提供更好产品和服务。”
6.芯片价格上涨，三星Q1利润同比增长8倍至5.7万亿韩元
集微网消息，由于半导体价格反弹，三星电子盈利摆脱了芯片严重低迷造成的低基数，预计第一季度利润将较上年同期增长至近九倍。
根据LSEG SmartEstimate的27名分析师的平均值，在截至3月31日的季度中，三星电子的营业利润可能升至5.7万亿韩元（合42.4亿美元）。
这将是三星自2022年第三季度以来的最高利润。相比之下，三星去年第一季度的营业利润为6400亿韩元。
根据12名分析师的平均估计，三星传统上最大的盈利部门——芯片部门预计将公布五个季度以来的首个季度利润，约为7500亿韩元，因为存储芯片价格已从2022年中期开始的低谷中反弹。
根据TrendForce的数据，第一季度，用于科技设备的DRAM芯片价格比上一季度上涨了约 20%，用于数据存储的NAND闪存芯片价格上涨了23%至28%。
分析师表示，三星的芯片设计和芯片代工业务仍处于亏损状态。但自经济低迷以来，存储芯片制造商的低利润芯片供应有限，而买家正在补充库存，从而提高了这家科技巨头的利润。
与此同时，根据12位分析师的平均预测，其移动业务第一季度的营业利润可能约为3.8万亿韩元，略低于一年前该部门3.94万亿韩元的利润。
根据Eugene Investment & Securities的数据，三星第一季度智能手机出货量预计为5700万部，比上一季度增长8%。Eugene表示，三星智能手机的平均售价也可能环比上涨30%，达到340 美元，从而支撑利润。
三星将于4月5日公布第一季度初步盈利结果。
7.台积电：地震后设备复原率已超过7成 主要设备无受损
中国台湾4月3日发生7.3级地震，为过去25 年来最强，新竹、龙潭和竹南等科学园区的最大震度为5级，台中和台南科学园区的最大震度则为4级，台积电晚间表示，在地震发生后仅10小时内，晶圆厂设备的复原率已超过70%，新建的晶圆厂复原率更已超过80%，主要机台皆无受损。
台积电指出，公司在中国台湾的晶圆厂工地安全系统正常，为确保人员安全，依公司内部程序启动相关预防措施，部分厂区在第一时间进行疏散，人员皆平安并在确认安全后回到工作岗位，详细影响正在确认中。
另外，台积电建厂工地状况检查初步正常，因安全考虑已决定今日中国台湾各地工地停工，待检查后再行施工。
台积电补充，公司在地震应变和灾害预防上拥有丰富经验与能力，并定期进行安全演习以确保万全准备，在地震发生后仅10小时内，晶圆厂设备的复原率已超过70%，新建的晶圆厂(如晶圆十八厂) 的复原率更已超过80%。虽然部分厂区的少数设备受损并影响部分产线生产，主要机台包含所有极紫外(EUV) 光刻设备皆无受损。
台积电通过资源到位加速达到全面复原，今日持续复工中，同时也与客户保持密切沟通。并将继续密切监控并适时与客户直接沟通相关影响。（来源： 钜亨网）
8.英伟达：预计地震不会对芯片供应造成任何影响
集微网消息，英伟达4月3日表示，预计中国台湾几十年来最严重的地震不会造成供应链中断。
该公司是人工智能系统芯片的领先供应商，其许多芯片均来自台积电。
英伟达在一份声明中表示：“在与我们的制造合作伙伴协商后，我们预计地震不会对我们的供应造成任何影响。”
台积电当日晚间表示，在地震发生后仅10小时内，晶圆厂设备的复原率已超过70%，新建的晶圆厂复原率更已超过80%，主要机台皆无受损。
台积电指出，公司在台湾的晶圆厂工作安全系统正常，为确保人员安全，依公司内部程序启动相关预防措施，部分厂区在第一时间进行疏散，人员皆平安并在确认安全后回到工作岗位，详细影响正在确认中。
