【采纳】消息称华为P70系列将采用1G6P镜头 主摄配备1英寸传感器

1.消息称华为P70系列将采用1G6P镜头 主摄配备1英寸传感器

2.高通骁龙XR2+ Gen 2头显芯片发布：支持单眼4.3K分辨率

3.投资30亿元！武汉敏声将在光谷建总部及高端射频滤波器基地

4.三星和LG将在CES 2024上展示新型OLED显示器

5.机构：1月大中尺寸面板价格维持不变

6.瑶芯微电子技术分享：栅极米勒平台震荡时电压应力分析

1.消息称华为P70系列将采用1G6P镜头 主摄配备1英寸传感器

集微网消息，天风证券分析师郭明錤日前发文称，中国台湾企业玉晶光将为华为P70系列提供升级后的超广角摄像头模组。他没有透露有关新硬件的细节，但表示华为P70系列的出货量将比P60系列增长100%至120%。

市场有消息指出，华为P70系列新的超广角镜头具有独特的1G6P镜头（带有一个玻璃和六个塑料元件）和一个1英寸类型的传感器。对于充其量只能看到1/1.56英寸型传感器的细分市场来说，这将是一个巨大的升级。另有业内人士建议使用7P镜头，这将更便宜，更容易制造。

此前郭明錤在报告中指出，华为预计2024年上半年推出新款旗舰机型P70系列，该系列包括P70、P70 Pro与P70 Pro Art。大立光与舜宇光学为P70系列的高端镜头供应商（前者供货比重略高），可望在淡季显著受益于P70系列出货量显著增长。P70系列的相机规格最大卖点在于：采用长焦潜望镜，P70为5P镜头（1/3.6英寸），P70 Pro与P70 Art均为6P镜头（1/2.5英寸）；P70 Art广角相机采用高规1/1英寸CIS与1G6P玻塑混合镜头，1G6P镜头因采用模铸玻璃故单价约为7P的4~5倍。值得注意的是，因模铸玻璃为大立光与舜宇光学自制，故对利润有利。

郭明錤指出，华为重返高端手机市场，会因采用较高相机规格与出货量大幅增长而显著推动高端手机光学升级周期变化。

（校对/张杰）

2.高通骁龙XR2+ Gen 2头显芯片发布：支持单眼4.3K分辨率

集微网消息，高通公司宣布推出专为虚拟现实（VR）和混合现实（MR）头显设计的骁龙XR2+ Gen 2芯片，采用单芯片架构，将与苹果即将推出的Vision Pro竞争。

高通表示，这款新芯片可支持运行12路及以上并行摄像头和强大终端侧AI，三星电子和Alphabet旗下谷歌将在未来的开发产品中使用该芯片。

增强现实（AR）将图形、界面内容叠加到现实世界。虚拟现实将消费者置于封闭的数字世界中。苹果即将推出的Vision Pro和Meta最新的Quest 3头显融合了这些技术。以前版本的高通骁龙XR芯片已用于微软和Meta的设备中。

高通技术公司XR产品管理高级总监Said Bakadir表示，配备骁龙XR2+ Gen 2的头显相比前代产品，CPU性能提高20%，GPU提升15%，支持单眼4.3K分辨率显示，支持90Hz刷新率。

Said Bakadir称，质量的提高将缓解阅读文本时的眼睛疲劳，减少晕动病的可能性，并让设备制造商能够实现新功能。该芯片能够处理12个或更多摄像头，这将有助于深度感知和眼球追踪，从而在现实世界中引导用户并识别物品。

Said Bakadir表示，除谷歌和三星外，高通还与许多伙伴合作，相关产品预计在CES 2024展会上发布，最早将于今年上市。

为了助力OEM厂商加快产品上市，高通还推出了由歌尔开发的全新MR和VR参考设计，并采用Tobii眼动追踪技术。该参考设计支持单眼3K（搭载骁龙XR2 Gen 2）和单眼4K（搭载骁龙XR2+ Gen 2）两种配置。

（校对/张杰）

3.投资30亿元！武汉敏声将在光谷建总部及高端射频滤波器基地

集微网消息，1月5日，武汉敏声新技术有限公司（简称“武汉敏声”）宣布投资30亿元，在武汉东湖高新区落地总部并建设高端射频滤波器研发生产基地，达产后产能约为每月1万片。

据悉，武汉敏声致力于射频前端BAW高端滤波器制造。敏声董事长孙成亮也是武汉大学教授，他联合多名国际知名业内专家于2019年共同创立敏声，申请专利200多项，已具备从设计到制造的完全自主知识产权。截至目前，敏声已获得近8亿元投资。

敏声与北京赛微电子合作共建的“敏声-赛莱克斯北京8英寸BAW滤波器联合产线”去年7月实现量产，产能每月2000片，已拿到客户批量订单。

中国光谷消息显示，敏声项目是2024年光谷首个签约项目。敏声总部及基地落户，将助力光谷提升集成电路产业集聚度和显示度。（校对/韩秀荣）

4.三星和LG将在CES 2024上展示新型OLED显示器

集微网消息，三星电子和LG电子将于1月9日至12日在美国内华达州拉斯维加斯举行的“CES 2024”，展示提高消费体验的新型OLED显示器。

三星电子1月3日表示，将在CES 2024上公开下一代游戏显示器。该系列包括以奥德赛OLED G8为首的三款机型，具有32英寸4K超高清分辨率，最高刷新率为240Hz。这三款新产品的一个显著特点是OLED无眩光技术，能将光反射降到最低。这使得游戏具有一致的亮度和色彩水平，而不需要单独的遮光罩。该产品已获得视频电子标准协会的显示HDR TrueBlack 400认证，确保了精确的色彩和对比度显示。另外三星电子计划在部分新产品中引入“Multi Control（多控制）”功能，以加强三星电子设备之间的连接，提高用户的便利性和工作效率。

LG电子也将在CES 2024期间推出可以根据内容优化分辨率和刷新率的游戏显示器。该型号为32GS95UE，是世界上第一款在单一产品中同时提供高刷新率模式（FHD，480Hz）和高分辨率模式（4K，240Hz）的显示器。

此外，在OLED电视领域占据领先地位的LG电子将于当天公开搭载计算性能提高4倍的AI处理器的OLED evo电视。

（校对/刘昕炜）

5.机构：1月大中尺寸面板价格维持不变

集微网消息，研究机构TrendForce集邦咨询1月5日公布了2024年1月最新面板报价数据。统计显示，各尺寸电视、显示器、笔记本电脑面板价格与前期（2023年12月）相比维持不变，统计的面板尺寸涵盖11.6英寸至65英寸。

电视面板方面，本期65英寸4K电视面板均价为163美元；55英寸4K面板均价122美元；43英寸1080P面板均价61美元；32英寸768P面板均价33美元。

显示器方面，本期27英寸1080P IPS面板均价61.6美元；23.8英寸1080P IPS面板均价47.9美元。

笔记本方面，17.3英寸1600×900 TN面板均价为38.3美元；15.6英寸1080P Value IPS面板均价为40.5美元；14.0英寸768P TN面板自2023年10月上旬至今保持稳定，本期均价为为26.6美元；11.6英寸768P TN面板价格自2022年11月下旬至今保持稳定，本期均价为24.8美元。

近日业内消息人士称，中国大陆面板制造商希望将2月的维护期延长最多半个月。预计此举将导致2024年第一季度进一步减少全球面板产能，为潜在的价格反弹创造动力。中国大陆目前在液晶面板行业占据主导地位，并对价格产生影响，减产动态也会影响供需变化。中国台湾面板厂商群创、友达的产能利用率，预计将不会提升。

（校对/赵月）

6.瑶芯微电子技术分享：栅极米勒平台震荡时电压应力分析

在MOS开关过程中，容易发生栅极电压震荡，产生很高或很低的电压尖峰，外部测量的Vgs值可能远超器件规格书容许的最大值。使用人员往往会担心栅极应力过大导致器件栅极损坏。

这个现象发生在非开尔文引脚的器件（比如TO247-3），主要是源极（焊引脚和键合线）的寄生电感L导致。根据U=L*di/dt，开关速度快，即di/dt大， 则在源极引脚寄生电感上产生的感应电压更大。Vgs外部测量电压此时主要是内部Cgs电压叠加了S寄生电感（3-7nH）上感应电压。

通常快速（不同驱动，不同电流下不一样）关断时di/dt 约5000-20000A/us.，即5-20A/ns。此时S引脚（3nH）感应电压约15-60V。

因为此时MOS还处于米勒平台阶段， Vgs米勒平台电压约5-7V。所以外部测量电压Vgs（外）则是米勒平台电压加S引脚感应电压，出现很高尖峰。

为了测试MOS内外GS电压差异，给MOS开窗漏出打线后从打线近芯片处焊接出GS（此处测量波形代表MOS真实GS波形），同时用差分探头靠近MOS的GS引脚处代表常规测试方法（MOS外部测量波形）。对开关时内外Vgs波形来对比实验。

改造开窗MOS和测试参考（1）

改造开窗MOS和测试参考（2）

测到MOS关断波形如下：

外部测到的Vgs电压会在Ids突然下降时有很大负压尖峰（约20V）。而内部的Vgs此时几乎不变（轻微波动主要是电流和电压突变时电磁干扰影响）。

测到MOS打开波形如下：

外部测到的Vgs电压会在Ids上升时有正向抬升，而反向恢复后沿，Ids下降时外部Vgs则同步下降。而内部的Vgs此时几乎不变（轻微波动主要是电流和电压突变时电磁干扰影响）。

总 结

在米勒平台震荡处，Vgs外部测量的很大尖峰电压，是由源极引脚寄生电感在高di/dt时感应电压叠加到米勒平台电压上产生的。此时外部测量值也完全不代表MOS内部Vgs真实电压。外部测量电压尖峰是didt突变大小的真实反映。

在此时实际Vds也会突变，通过Cgd电容给Cgs充电，所以此时的内部真实的Vgs电压也会由于Vds电压突变而有所变化，理论极限变化值由因ΔVds变化导致的ΔQgd值和Cgs大小决定。比如ΔQgd 10nC，Cgs 10nF，则此时Vgs变化最大为1V。因此时MOS工作在饱和区（米勒平台），内部Vgs的轻微变化（比如变化0.5-1V），会导致沟道饱和电流大幅度跳变。因内部真实Vgs往往没办法测量，可以通过测量Ids变化来反向评估内部真实Vgs变化。（不同饱和电流对应不同Vgs电压，器件规格书里有输出曲线）。

另外高压器件工作时测量外部Vgs电压也有难点，因常见测量往往用差分探头，需要关注差分探头高频下（往往需要100MHz时）共模抑制性能，共模抑制性能差的测不准外部的Vgs电压。所以用光隔离探头是比较理想的测外部Vgs电压的手段。

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