三星：2025年后率先进入3D DRAM时代

据外媒报道，三星电子近日在半导体产业会议Memcon 2024上表示，2025年后将进入3D DRAM时代。

三星预计，DRAM产业将于2030年前将制程压缩至10nm以下，在如此精细的尺度下，现有设计方案难以进一步扩展，业界因此正在探索包括3D DRAM在内的多种创新型内存设计。

报道称，三星展示两项3D DRAM技术，包括垂直信道晶体管和堆叠DRAM。相较传统晶体管结构，垂直信道晶体管将信道从水准变为垂直，大幅减少元件面积，但提升刻蚀精确度要求。相较2D DRAM结构，堆叠DRAM可充分利用Z轴向空间，较小面积容纳更多存储单元，单晶片容纳提升至100G以上。为了与其他內存制造商竞争，三星今年年初已经在美国硅谷设立新3D DRAM研发实验室，以开发先进內存。

有研究机构预计，3D DRAM市场发展，有望2028年达千亿美元规模。