东芯半导体参展IIC 2023:秀存储实力,斩获年度杰出创新企业奖
11月2~3日,2023国际集成电路展览会暨研讨会 IIC Shenzhen 2023举办。此次展会集行业交流、渠道联动、资源聚合为一体,集中国内领先技术企业及国际大厂,共同探讨和交流集成电路行业新风向。
东芯半导体股份有限公司(以下简称东芯半导体)作为国内仅有的少数几家存储芯片Fabless企业,携公司特色技术产品参展IIC Shenzhen 2023,同时公司副总经理陈磊参加同期举办的全球CEO峰会,在圆桌论坛与业界精英互动交流,畅谈半导体未来十年的机遇与挑战。
全面过硬,展会秀芯片实力
东芯半导体股份有限公司成立于2014年,总部位于上海,在深圳、南京、香港、韩国均设有分公司或子公司,矢志成为领先的存储芯片设计公司,服务全球客户。在本次国际集成电路展览会暨研讨会,东芯半导体在1B21展台亮相,携各类NAND Flash、NOR Flash、DRAM等产品参展。
作为Fabless芯片企业,东芯半导体拥有独立自主的知识产权,聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研发、设计和销售,是目前国内少数可以同时提供NAND/NOR/DRAM设计工艺和产品方案的存储芯片研发设计公司。公司产品被广泛应用于工业控制、移动设备、安防、物联网、通讯网络等领域,凭借过硬的产品质量和完善多样的产品线,为厂商提供全面解决方案。
东芯半导体SPI NAND Flash作为拳头产品,采用38nm及2xnm的成熟工艺制程,目前已经推进至1xnm先进工艺制程。产品支持3.3V/1.8V电压及WSON、BGA多种封装形式,满足各类设备需求。凭借优秀的国产技术以及可靠的质量,东芯半导体NAND Flash赢得市场认可。
NOR Flash方面,东芯半导体自主设计的SPI NOR Flash使用ETOX工艺,产品容量覆盖64Mb至1Gb,电压为1.8V,提供通用SPI接口。产品支持Single/Dual/Quad SPI和QPI四种指令模式、DTR传输模式和多种封装方式,应用广泛。
在DRAM领域,东芯半导体拥有DDR3(L)、LPDDR产品线,已经被广泛应用于网络通信、消费电子、智能终端、物联网等设备。DDR3(L)作为主流产品具备高传速速率,可提供1.5V/1.35V两种电压模式,提供LPDDR1、LPDDR2、LPDDR4X多种选择。低功耗、高带宽的特点,非常适合应用在各种移动设备中。
此外,东芯MCP系列产品具有NAND Flash和DDR多种容量组合,Flash和DDR均为低电压的设计,核心电压1.8V可满足目前移动互联网和物联网对低功耗的需求。其中DDR包含LPDDR1/LPDDR2两种规格使其选择更加灵活丰富。MCP可将Flash和DDR合二为一进行封装,简化走线设计,节省组装空间,高效集成电路,提高产品稳定性。
存力构筑基石,未来充满挑战
2023年以来,AI、新能源汽车、自动驾驶、智能穿戴等加速变革,种种新兴技术正不断涌现,这一切背后的源动力都是“芯片”。半导体如今正取代石油,成为全球主要经济体争抢的“战略资源要地”。
以“科技向善,半导体赋能”为主题的2023全球CEO峰会于11月2日举办,魏少军博士等十余位演讲嘉宾轮番登台,通过一系列主题演讲,为观众带来半导体对科技和经济发展的影响,展望未来技术趋势和新兴应用机会,并共同探讨如何在复杂多变的全球局势下达成协作共赢,让半导体产业持续健康地发展。
东芯半导体股份有限公司副总经理陈磊,在全球CEO峰会最后的“预见:科技新十年”圆桌论坛登台,与来自Imagination、博世、斯沃特、峰岹科技、英诺达的多名嘉宾畅谈半导体行业的当前与未来,展望未来新十年前沿科技与产业的脉络趋势。
未来十年科技将如何改变世界?论坛嘉宾给出了各自不同的观点,AI技术、软件定义汽车、EDA、传感器到节能环保等方向,皆有众多机遇和前景。但不论是主持人还是嘉宾,都认为预测未来十年很难,充满挑战,不像此前个人电脑、智能手机出现那样有明确趋势;不过,AI技术势必将在未来扮演关键角色。
陈磊认为,改变未来的新技术肯定正在研发中,不可能在未来某个点凭空出现。目前AI、元宇宙等领域的技术,可以分为三点:感知、传输、计算,不过最近国内又提出了“存力”这一观点。存储能力作为基石,决定数据是否被可靠存储,AI运算产生的结果,同样需要进行“存储”动作。
目前存储芯片主要包括NAND、DRAM、NOR Flash三大类,是半导体领域最大的单一市场,占比约1/3。陈磊表示,现阶段存储行业面临的挑战,是几乎所有电子类应用都需要存储器,但是要求各不相同。此外,如何缩小封装,如何降低功耗的同时提高性能,是接下来持续要面对的挑战。存储器作为人工智能、大数据、自动驾驶等领域的底层基础,势必会继续扮演重要的角色,随着技术发展,未来也会有更多新型存储器投入实际应用。
陈磊还透露,东芯半导体努力在产品可靠性上不断提升,目前在NAND和NOR Flash均有产品通过AEC-Q100测试,未来将适用于更严苛的车规应用环境。
创新驱动,东芯半导体再获殊荣
本届IIC最后颁发2023全球电子成就奖,东芯半导体凭借卓越的研发实力以及稳健可靠的产品,成功荣获“2023全球电子成就奖之年度杰出创新企业”。这一奖项,是对东芯半导体多年来深耕存储领域的充分认可。
在2022年,东芯半导体就已凭借SPI NAND Flash产品一举斩获“2022全球国际电子成就奖之年度存储器”奖项,一年过后再获殊荣,体现了东芯半导体在创新驱动下,企业综合实力的进一步增强。
“中国芯”加速发展的今天,东芯半导体通过不断研发迭代,完善存储芯片产品线,与上下游企业一道,取得了一个又一个成果。存储芯片是电子科技领域的关键,东芯半导体未来将持续研发的同时,丰富产品并提高可靠性,与产业链共同协作,努力为客户建立完善的生态链和服务,在终端市场为中国芯再增光添彩。