东芯半导体首次亮相ICCAD-EXPO , 共同探索创芯之路！

12月11日-12月12日，ICCAD-EXPO中国集成电路设计业展览会在上海世博展览馆盛大开幕，作为中国半导体界最具影响力的行业盛会之一，现场集合了国内外上下游厂商，为集成电路产业链各个环节的企业营造一个交流与合作的平台，为集成电路设计企业构筑在技术、市场、应用、投资等领域交流合作的平台。

东芯半导体也首次参加亮相了ICCAD-EXPO ，现在就来带大家看看现场精彩吧！

赋能产品+生态+质量融合发展

共筑创芯路

东芯半导体股份有限公司副总经理陈磊在演讲中结合目前存储市场现状和东芯半导体作为本土存储芯片设计公司的角度，为大家解析如何赋能产品+生态+质量融合发展，共筑创芯路。

市场现状

全球市场：

2023年全球市场规模约为903.7亿美元，同比下降35%。随着AI算力需求的提升，全球存储芯片市场规模将快速增长，2024年全球市场规模将进一步增长至1529亿美元。

中国市场：

2023年我国存储芯片市场规模约为5400亿元。

当前新一轮人工智能浪潮爆发，由AI服务器带来存储芯片新的增量需求，2024年市场规模将恢复增长至5513亿元。

利基型市场：

全球半导体产业的重心从美国、日本向韩国、中国台湾转移，再进一步向中国大陆转移，促进了中国存储芯片产能的增长和产业调整优化‌。

加以政府政策支持、全球化转型加速推进下游需求增长、产业链上下游企业协同合作以及数据安全体现了芯片国产替代的重要性几方面驱动行业发展。

同时，随着科技发展的快速迭代，目前主流的存储芯片需要具备高集成度、多样化、低功耗和高可靠性几项技术特征。

那我们接下来就结合我们作为本土存储设计企业的角度，

为大家浅析一下 我们是如何在创芯路不断探索实践的。

东芯半导体

作为Fabless芯片企业，东芯半导体拥有独立自主的知识产权，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研发、设计和销售，是目前国内少数可以同时提供NAND/NOR/DRAM设计工艺和产品方案的存储芯片研发设计公司。‍

六大产品矩阵

NAND Flash:

聚焦平面型SLC NAND Flash的设计与研发，

存储容量覆盖512Mb至32Gb，

可灵活选择SPI或PPI类型接口，

搭配3.3V/1.8V两种电压，

满足客户在不同应用领域及应用场景的需求。

NOR Flash：

存储容量覆盖64Mb至1Gb，支持 Single/Dual/Quad SPI和 QPI四种指令模式、 DTR传输模式和多种封装方式。普遍应用于网络通信、可穿戴设备、移动终端等领域。

DRAM:

DDR3(L)：

可以传输双倍数据流的DRAM产品，具有高带宽、低延时等特点，在通讯设备、移动终端等领域应用广泛。

LPDDR1/2/4X：

LPDDR1/2/4X系列产品具有低功耗和高传输速度等特点，最大时钟频率可达2133MHz，适用于智能终端、可穿戴设备等产品。

MCP:

产品具有NAND Flash和DDR多种容量组合，Flash和DDR均为低电压的设计，核心电压1.8V可满足目前移动互联网和物联网对低功耗的需求。

其中，DDR包含LPDDR1、LPDDR2和LPDDR4x等不同规格，为用户提供更加灵活和丰富的选择。MCP通过将低功耗DRAM和NAND Flash进行合封，简化走线设计，节省组装空间，提高整体集成度和可靠性，适用于PCB布板空间狭小的应用。

构建供应链布局

东芯半导体实现全球化运营布局，构建完整生态体系，以“存储”为核心，向“存、算、联”一体化领域进行技术探索，拓展行业应用领域，优化业务布局。

供应链构建：

我们一直秉持“本土深度、全球广度”的供应链布局，坚持“双轨并行”的发展策略,积极拓展境内外双代工模式,在搭建和完善自主可控的国产化供应链体系的同时，与国内外的供应商建立了互助、互利、互信的合作关系，保证了供应链运转效率和产品质量。

市场布局：

我们的产品被广泛应用于工业控制、通讯设备、安防监控、可穿戴设备和移动终端等领域。我们也持续聚焦高附加值产品，目前我们SLC NAND Flash、NOR Flash以及MCP均有产品通过AEC-Q100测试，将适用于更严苛的车规环境。

把控质量管理

我们以“品质”、“竞争力”、“客户满意”、“持续改进”为公司质量方针，不断优化服务流程和运营系统，持续提升相应的产品质量与服务质量管理体系，能够为全球客户第一时间提供高效的服务支持。公司持续加强产品可靠性及生产制程的监控力度并建立了优秀的客户服务团队，将客户服务理念贯穿到产品研发至售后的各个环节，在内部形成良好的处理闭环，并持续提升客户服务管理能力。

东芯，为日益发展的存储需求提供高效可靠的解决方案！