两大半导体方向！珠海：省级制造业当家重点任务保障专项资金申报进行时

7月2日，珠海市工业和信息化局发布“关于组织开展2025年省级制造业当家重点任务保障专项资金（新一代信息技术和产业发展）支持电子信息产业方向项目入库的通知”，涉及“支持半导体和集成电路产业发展”“支持新型储能产业发展”等专题。

以下是该通知部分要点内容：

一、支持范围和方向

（一）专题1：支持半导体和集成电路产业发展

方向1：芯片产品量产前首轮流片项目。支持范围包括采用28nm及以下制程流片的芯片、车规级芯片、硅基集成光芯片。

方向2：硅能源产业化项目。支持范围包括隧穿氧化层钝化接触（TOPCon）电池或组件、异质结（HJT）电池或组件、背接触（IBC、HBC、TBC、ABC）电池或组件、铜铟镓锡CIGS薄膜太阳能电池、碲化镉CdTe薄膜太阳能电池、钙钛矿薄膜太阳能电池、单晶硅片。

（二）专题2：支持新型储能产业发展

方向3：新型储能产业化项目。支持范围包括储能型锂离子电池及材料、储能型钠离子电池及材料、液流电池、其他储能系统。（方向3，申报指引详见附件2）

以上项目只有一个申报主体，不允许联合申报。集团性质企（事）业单位，集团或下属单位只能有一家主体进行申报。

二、项目补贴时间范围

项目补贴时间范围：2022年1月1日至2023年12月31日（发票和支付凭证时间均须在此期间内）。

据悉，项目申报材料通过网上填报和纸质申报同步进行。网上填报需于7月13日完成提交至市工业和信息化局审核。纸质版于7月14日前交至区工业和信息化主管部门。

项目奖补资金原则上应用于企业生产经营所需的设备及配套软件、材料、产品及第三方服务等生产性支出。

针对“支持半导体和集成电路产业发展”的两大项目方向，支持范围和支持方式如下：

芯片产品量产前首轮流片项目

支持范围

申请时须满足下列条件之一：

1.采用 28nm 及以下制程流片的芯片；

2.车规级芯片；

3.硅基集成光芯片（至少单片集成光调制器+光波导或者光探测器+光波导，且单通道 100Gbps 及以上通信速率）。

支持方式

本方向项目财政扶持资金采用事后奖励方式，对符合条件的项目，择优分别按照不超过芯片产品量产前首轮流片费用（按本指南第三点第 5 条的说明）30%的标准予以补助，同一主体每年奖补资金不超过 1000 万元，具体补助额度根据年度资金预算控制指标和入库项目申请情况等因素确定。

硅能源产业化项目

支持范围

申报支持的工程产品包括硅能源产业领域的器件及相关材料，申请时须满足下列条件之一：

1.隧穿氧化层钝化接触（TOPCon）电池或组件（电池量产平均光电转换效率≥24.0%；组件量产平均光电转换效率≥22.5%，双面组件按正面效率计算）

2.异质结（HJT）电池或组件（电池量产平均光电转换效率≥24.2%；组件量产平均光电转换效率≥22.4%，双面组件按正面效率计算）

3.背接触（IBC、HBC、TBC、ABC）电池或组件（电池量产平均转换效率≥24.1%；组件量产平均光电转换效率≥22.6%，双面组件按正面效率计算）

4.铜铟镓锡 CIGS 薄膜太阳能电池（30×30 平方厘米面积条件下，量产平均转换效率≥17.5%）

5.碲化镉 CdTe 薄膜太阳能电池（30×30 平方厘米面积条件下，量产平均转换效率≥17.5%）

6.钙钛矿薄膜太阳能电池（30×30 平方厘米面积条件下，量产平均转换效率≥20.0%）

7.单晶硅片（P 型单晶硅片少子寿命≥80s，N 型单晶硅片少子寿命≥700s，且碳含量≤1ppma、氧含≤14ppma，厚度≤120um）

支持方式

本方向项目财政扶持资金采用事后奖励方式，对符合条件的项目，择优分别按照在 2022 年 1 月 1 日至 2023 年 12 月 31 日期间内（发票和支付凭证时间均须在此期间内），不超过已投入产业化费用（按本指南第三点第 8 条说明）30%的标准予以补助，此专题同一主体每年只能申报一个项目，奖补资金不超过 1000万元，具体补助额度根据年度资金预算控制指标和入库项目申请情况等因素确定。