中芯国际“光电探测器及其形成方法”专利公布

集微网消息，天眼查显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司“光电探测器及其形成方法”专利公布，申请公布日为2024年4月16日，申请公布号为CN117894868A。

一种光电探测器及其形成方法，光电探测器包括：衬底；位于衬底上的介质层；位于介质层内和衬底内的凹槽，所述凹槽侧壁暴露出部分衬底和介质层；位于凹槽底部表面的形核层；位于形核层表面的缓冲层；位于缓冲层上的体相层，所述体相层位于所述凹槽内。所述光电探测器的质量得到改善。