中芯国际“半导体器件及其形成方法”专利获授权

天眼查显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司近日取得一项名为“半导体器件及其形成方法”的专利，授权公告号为CN111900088B，授权公告日为2024年3月26日，申请日为2019年05月05日。

本发明一种半导体器件及其形成方法，包括步骤：提供衬底，所述衬底上形成有若干分隔排列的鳍部；在所述衬底上形成横跨所述鳍部的伪栅结构；在所述衬底上形成、所述伪栅结构的侧壁上形成第一层间介电层，且所述第一层间介电层的顶部低于所述伪栅结构的顶部；定义切断开口图形；沿所述切断开口图形，刻蚀所述伪栅结构，直至暴露出所述衬底，形成切断开口；在所述第一层间介电层上形成第二层间介电层，且所述第二层间介电层填充满所述切断开口，所述第二层间介电层顶部与所述伪栅结构顶部齐平；本发明使得所形成的半导体器件性能稳定。