中芯国际“图像传感器结构以及获得高光溢出的方法”专利公布

集微网消息，天眼查显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司“图像传感器结构以及获得高光溢出的方法”专利公布，申请公布日为2024年4月5日，申请公布号为CN117832231A。

一种图像传感器结构以及获得高光溢出的方法，方法包括：提供图像传感器结构，图像传感器结构包括像素单元，每个像素单元包括多个相邻的像素结构；其中，像素单元中多个像素结构共用传输漏极，像素单元包括相邻的第一像素结构和第二像素结构；分别在第一条件和第二条件下，获得第一像素结构的N型区的第一条件电流和重置漏极的第二条件电流；基于第一条件下和第二条件下，第一条件电流和第二条件电流之间的相对大小，获得高光溢出的性能。本发明实施例提高对高光溢出性能评估的全面性和准确性。