中芯国际“电容器及其形成方法”专利公布

集微网消息，天眼查显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司“电容器及其形成方法”专利公布，申请公布日为2024年4月5日，申请公布号为CN117832202A。

一种电容器及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底，衬底包括基底和绝缘材料层，绝缘材料层内具有若干第一开口；在第一开口内形成填充层；采用湿法刻蚀工艺对填充层暴露出第一开口侧壁进行刻蚀处理形成第二开口；在第二开口内形成掩膜层；以掩膜层为掩膜刻蚀绝缘材料层，形成绝缘层；在基底上形成第一金属层。通过采用湿法刻蚀工艺，对填充层暴露出第一开口侧壁进行刻蚀处理，形成第二开口，第二开口大于第一开口的尺寸即为后续形成的绝缘层的厚度尺寸，因此可以通过控制湿法刻蚀工艺的时间，进而控制第二开口大于第一开口的尺寸在较小的范围，避免采用光罩工艺中曝光尺寸局限性，以此减小绝缘层的厚度，进而提升最终形成的电容器的存储密度。