井芯微完成超亿元B轮融资，致力于新基建核心芯片研制生产

5月20日，井芯微电子技术（天津）有限公司（以下简称：井芯微电子）官宣于近日完成了超亿元B轮融资，此轮融资由红石创投领投，国鼎资本、晨晖资本、久友资本参投。

井芯微电子于2020年在天津市滨海新区成立，致力于中国新基建核心芯片研制、生产和销售。井芯微提出了软件定义互连、内生安全和类脑计算、数据中心（软件定义晶上系统）四大战略方向，形成了新型研发机构、孵化平台、创新联盟、商业公司“四位一体”的独特模式，荣获天津市科学技术进步特等奖。

井芯微电子官方消息显示，目前产品包括RapidlO系列、PCIE系列、网卡系列、FC系列、以太网系列、SDI系列、内生安全系列等。

据介绍，井芯微电子目前已申请各类知识产权100余项，获得发明专利授权69项、受通122项。已成功研发出RapidIO交换芯片NRS1800、软件定义互连交换芯片ST3210、内生安全交换芯片ESW5610、桥接芯片PRB0400等多款芯片，同时在研芯片10余款。井芯微电子行业客户拓展超过300多家，产品广泛应用于5G基建、人工智能、大数据中心、能源、交通、工业互联网等领域。

2023年1月，井芯微电子宣布完成深创投集团等8家机构参与的A轮超亿元融资，此轮融资将助力井芯微电子自主高端芯片产品的研发、研发体系建设、及开发环境的升级等。（校对/韩秀荣）