亚电科技 “一种硅晶片单面去PSG层方法”专利获授权

集微网消息，天眼查显示，江苏亚电科技股份有限公司近日取得一项名为“一种硅晶片单面去PSG层方法”的专利，授权公告号为CN114883190B，授权公告日为2024年4月30日，申请日为2022年3月30日。

本申请涉及一种硅晶片单面去PSG层方法，包括上料步骤‑水膜形成步骤‑工艺步骤‑清洗步骤‑风干步骤‑冷却步骤‑下料步骤。本申请的方法通过水膜保护上表面、将硅晶片下表面进行腐蚀去掉PSG层，之后再将硅晶片清洗干净，再经过风干、冷却完成清洗，具有清洗效率高，清洗效果好的优点。