优睿谱完成新一轮数千万元融资，系半导体前道量测设备商

7月25日，优睿谱官宣于近日完成新一轮数千万元的融资，本轮融资由君子兰资本领投，境成资本、琢石投资、南通海鸿金粟等跟投。本轮融资将用于晶圆边缘检测设备SICE200、晶圆电阻率量测设备SICV200、晶圆位错及微管检测设备SICD200、多种半导体材料膜厚测量设备Eos200DSR等多款设备的量产，新布局产品的研发以及团队的扩充。

优睿谱成立于2021年，由长期从事于半导体行业的海归博士领衔，协同国内资深的半导体前道制程量测设备技术团队共同发起成立，致力于打造高品质的半导体前道量测设备。

2022年8月，优睿谱宣布完成数千万元Pre-A轮融资，由弘卓资本领投、银珠资本、南京信达诚惠以及合肥众余等跟投。资金主要用于半导体专用FTIR测量设备Eos200/Eos300、Selene系列产品的量产及新设备的开发。

2023年7月，优睿谱官宣完成近亿元A轮融资，由基石浦江领投，浑璞投资、星河资本、中南创投、泓湖资本、杭州盟合、景宁灵岸等跟投。资金用于新产品的研发及量产。

据悉，优睿谱SICE200设备，实现了对碳化硅等化合物半导体以及硅衬底和外延片晶圆的边缘缺陷检测。

优睿谱SICV200是一款用于测量硅片电阻率、碳化硅或其它半导体材料掺杂浓度的半导体量测设备，可支持对包括12英寸在内的各种不同尺寸晶圆，进行可持多频率下CV特性分析。机台配置上，SICV200具有各种尺寸的半自动方案以及符合SEMI标准的全自动方案，可直接对接客户工厂MES系统，实现自动化生产。

优睿谱Eos200DSR是一款兼容8/6寸晶圆尺寸，用于测量SOI晶圆表面多层不同材料薄膜厚度的全自动化设备。其中一个应用是同时测量SOI晶圆的二氧化硅和宽范围顶层硅厚度。Eos200DSR可以在测量几十纳米至几微米的BOX的同时，完成小于1微米至几百微米的顶层硅厚度的测量。该设备也可以应用于其它材料的薄膜量测要求，比如新崛起的硅基铌酸锂等。（校对/张琳）