传三星计划Q3对DRAM、NAND涨价15%~20%,现已通报客户

6月26日,财联社等多家媒体报道称,三星计划于第三季度把动态随机存储器(DRAM)、NAND的价格上调15%~20%。市场消息同时称,证实三星电子近期已向戴尔、惠普等客户通报了这一涨价计划。

事实上,此前已有市场传闻称,伴随“6·18”促销活动结束,三星将把SSD涨价15%、DDR4涨价10%、DDR5涨价15%,eMMC也会跟涨,但涨幅尚未确认。

产能利用率方面,近日存储芯片产业界消息显示,随着业界大力投资高带宽存储(HBM)等DRAM,通用型DRAM预计将出现供应短缺。三星和SK海力士的通用型DRAM芯片产能利用率在80%~90%之间,自2024年年初以来,通用型DRAM产能仅提高约10%。

另外,随着人工智能(AI)普及,企业级固态硬盘(eSSD)需求激增,促使三星、SK海力士等制造商在2024年第二季度满负荷运行NAND生产线,此外,由于市场条件改善,铠侠于6月结束减产,使得NAND产能利用率恢复至100%。

对三星来说,作为全球最大的芯片制造商之一,过去几年受消费电子市场低迷影响,公司存储芯片业务损失惨重。不过从2023年下半年开始,受减产和需求复苏的双重影响,存储价格的上涨趋势于该年底从DRAM内存开始显现,随后逐步扩展到NAND闪存。今年1月,三星的存储产品线出现较为明显的好转趋势。


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