传英伟达煽动三星、SK 海力士竞争,压价HBM

集微网消息 据传,英伟达似乎故意煽动三星电子、SK 海力士彼此竞争,看看能否顺势压低高频宽记忆体(HBM)的价格。

据国际报告显示,第三代的HBM3 DRAM报价自2023年以来已飞涨超过5倍。对英伟达来说,关键元件HBM报价上升,势必会影响研发成本。

报导称,传闻英伟达刻意泄漏消息,引发现任与潜在供应商相互竞争,以期压低HBM价格。4月25日,SK集团董事长崔泰源匆匆前往矽谷跟英伟达执行长黄仁勋会面,似乎跟这些策略有关。

虽然过去一个多月来,英伟达一直在测试三星领先业界开发出的12层堆叠HBM3E,却迟未表明合作意愿。市场解读,这是一种策略,目标是激励三星电子。三星最近才刚宣布,第二季起将开始量产12层堆叠的HBM3E。

SK海力士执行长Kwak Noh-Jung于5月2日表示,2025年的AI芯片组用HBM几乎全数售罄,2024年的供应也已全部订光。他当时说,12层堆叠的HBM3E将在5月送样,预计第三季开始量产。


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