传英伟达煽动三星、SK 海力士竞争，压价HBM

集微网消息 据传，英伟达似乎故意煽动三星电子、SK 海力士彼此竞争，看看能否顺势压低高频宽记忆体（HBM）的价格。

据国际报告显示，第三代的HBM3 DRAM报价自2023年以来已飞涨超过5倍。对英伟达来说，关键元件HBM报价上升，势必会影响研发成本。

报导称，传闻英伟达刻意泄漏消息，引发现任与潜在供应商相互竞争，以期压低HBM价格。4月25日，SK集团董事长崔泰源匆匆前往矽谷跟英伟达执行长黄仁勋会面，似乎跟这些策略有关。

虽然过去一个多月来，英伟达一直在测试三星领先业界开发出的12层堆叠HBM3E，却迟未表明合作意愿。市场解读，这是一种策略，目标是激励三星电子。三星最近才刚宣布，第二季起将开始量产12层堆叠的HBM3E。

SK海力士执行长Kwak Noh-Jung于5月2日表示，2025年的AI芯片组用HBM几乎全数售罄，2024年的供应也已全部订光。他当时说，12层堆叠的HBM3E将在5月送样，预计第三季开始量产。