信越化学面向GaN半导体开发出大型基板

日本信越化学工业开发出用于制造氮化镓(GaN)半导体的大型基板。

据媒体报道,此次成功实现大型化的是用于制造氮化镓化合物半导体的基板。据悉这种基板可用于6G通信半导体以及数据中心使用的功率半导体等。如果使用氮化镓,就可以在高频段实现稳定通信,以及进行大功率控制,但一直很难生产出高品质的大型基板,这成为普及的障碍。

信越化学拥有以“QST基板”(使用氮化铝等材料的自主基板)为基础,来制备氮化镓结晶的技术。与硅基板相比,可以制作出更薄、品质更高的氮化镓结晶。成功开发出了口径为300毫米的QST基板,面积是此前产品的约2.3倍,与传统半导体常用的硅基板面积相同。(校对/陈炳欣)


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