版主信息与通信 2024-11-28

兴福电子：以创新为翼，打造集成电路化学品国产化新标杆

【编者按】自2020年举办以来，IC风云榜已成为半导体行业的年度盛事。今年新增12项奖项，共设39项大奖，进一步关注半导体投资与退出、科技前沿领域贡献、项目创新以及技术“出海”与拓展。评委会由超过100家半导体投资联盟会员单位及500+行业CEO组成。获奖名单将于2025半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼上揭晓。

【候选企业】湖北兴福电子材料股份有限公司（以下简称：兴福电子）

【候选奖项】年度市场突破奖、年度优秀创新产品奖

【候选产品】电子级硫酸96%H2SO4（年度市场突破奖），电子级双氧水31%H2O2、硅系列蚀刻液（年度优秀创新产品奖）

湖北兴福电子材料股份有限公司，自2008年11月成立以来，便专注于集成电路用超高纯电子化学品的研发与产业化领域。该公司秉持着创新、纯粹、精益求精的核心价值观，紧密围绕集成电路产业的发展需求，聚焦于湿电子化学品工艺的提升、电子特种气体技术与产品的开发、前驱体工艺及材料的探索，以及湿电子化学品辅材的研究等多个关键板块。

在不懈的努力下，湖北兴福电子材料股份有限公司成功推出了包括电子级磷酸、硫酸、氢氟酸、双氧水、硅基蚀刻液、金属蚀刻液以及BOE蚀刻液等一系列产品。这些产品凭借其卓越的性能和品质，在行业内赢得了广泛的认可与好评。

此次，兴福电子竞逐“IC风云榜”年度市场突破奖、年度优秀创新产品奖，并成为候选企业。

兴福电子凭借电子级硫酸96%H2SO4竞逐年度市场突破奖，该产品主要应用于集成电路制造工艺中的清洗和蚀刻过程，可有效除去晶片上的杂质颗粒、无机残留物和碳沉积物。

电子级硫酸主要由三氧化硫制备而成，其生产过程中的核心挑战在于严格控制杂质离子（如碱金属、重金属、过渡金属及阴离子等）的含量以及微纳颗粒等指标。为打破国外技术封锁，解决“卡脖子”难题，兴福电子自主研发了一系列关键技术，不仅提升了生产链的本质安全和自动化程度，还加速了电子化学品的国产化进程，为国产芯片的快速发展提供了有力支持。

在原料三氧化硫制备方面，兴福电子创新性地开发了烟酸降膜蒸发制备技术和连续精馏制备高纯液体三氧化硫技术。前者通过梯级纯化思路，有效脱除了不溶于浓硫酸的气体，制备出高纯度的三氧化硫；后者则利用沸点差异，制备出纯度高达99.99%的液体三氧化硫，满足了超高纯电子级硫酸的生产要求。

在超高纯电子级硫酸制备过程中，兴福电子同样展现出了卓越的技术创新能力。该公司开发了智能三氧化硫汽化-氧化技术，实现了设备内衬的优化，从根本上解决了设备腐蚀带来的质量及安全风险。同时，通过分级混合低温动态吸收技术和微纳颗粒深度脱除技术，进一步提高了电子级硫酸的纯度，使得产品中的30nm颗粒度降低至50pcs/ml以内。

兴福电子超高纯电子级硫酸品质达到Fe等金属离子小于5ppt、易氧化物小于1ppm、30nm颗粒度低于50pcs/ml，达到国际先进水平，超越G5等级。

兴福电子级硫酸自2017年5月投产以来，经过严格的客户验证测试，于2019年5月实现了中芯集团、华虹集团的批量规模销售，产品良率达到100%。目前，该产品已稳定批量供应国内外知名FAB及先进封装厂，应用覆盖从8寸到12寸的各种尺寸，技术节点涉及逻辑类芯片14nm、存储类芯片1ynm等先进制程。随着客户端验证测试工作的持续推进，兴福电子级硫酸的销量将持续增长，预计2025年将迈上一个新的台阶。

此外，兴福电子在电子级硫酸领域还获得了丰富的知识产权，包括多项发明专利和实用新型专利，为该公司的技术创新和市场竞争提供了坚实保障。与国内外竞品相比，兴福的电子级硫酸产品在各项指标上均表现出色，充分展示了公司在该领域的领先地位和强劲实力。

兴福电子凭借电子级双氧水31%H2O2、硅系列蚀刻液（D、E、PE-1、HNA等）竞逐年度优秀创新产品奖。

电子级双氧水31%H2O2主要用于集成电路制造工艺中的清洗、蚀刻和光刻胶去除。

电子级双氧水是通用型湿电子化学品消费占比最大的品种。兴福电子该项目深入研究了双氧水的分解特性和树脂的分子结构，成功筛选出了适用于双氧水专用且耐强氧化的膜和树脂材料。在此基础上，公司进一步改进了提纯工艺，实现了对双氧水中Na、Fe、Ca、Mg、Zn、Cu等重点金属离子的深度去除。通过自主研发的电子级双氧水工艺与创新的提纯技术相结合，兴福电子成功制得了高纯度电子级双氧水产品，推动了国内电子级双氧水向高端化、国际化发展，打破了国际技术封锁，实现了高端电子级双氧水的国产化。

在关键技术及创新点方面，兴福电子进行了多项深入研究。首先，研究了耐强氧化膜和树脂材料，包括大孔吸附树脂、阳离子交换树脂、阴离子交换树脂以及混床树脂，以提升电子级双氧水产品的品质。通过精确筛选和转型处理，该公司成功降低了双氧水中的有机物杂质和金属离子含量。其次，调整了提纯工艺，开发了电子级双氧水IEX树脂纯化工艺技术，并创新性地增加了专用树脂柱实现钠元素的专用提纯技术。这些创新措施有效控制了双氧水的分解，进一步提升了产品品质。

截至目前，兴福电子已获得了多项与电子级双氧水制备相关的知识产权，包括一种高纯过氧化氢溶液的制备工艺及设备、一种高效安全去除双氧水中阴离子的提纯方法以及一种树脂强效清洗与同步添加装置等。

在产品质量方面，兴福电子级双氧水产品已达到了国际领先水平。截止2023年12月，该产品的钠含量已控制在4ppt左右，其他少数几个金属离子含量低于3ppt，绝大部分金属离子含量低于1ppt，阴离子含量低于5ppb，TOC含量低于1ppm。这些优异的质量指标不仅优于国际标准，也满足了国内外知名半导体企业的严苛要求。同时2025年将实现8万吨/年产能，保证客户稳定供应。

硅系列蚀刻液（D、E、PE-1、HNA等）主要应用于晶圆蚀刻。

在关键技术及创新方面，兴福电子开发了重掺P+硅/轻掺P-硅选择性的HNA蚀刻液，实现了P+/P-型硅的蚀刻选择比大于100:1，蚀刻均匀性优异。同时，兴福电子还研发了蚀刻速率可控的D蚀刻液和粗糙度可调的E蚀刻液，分别实现了蚀刻速率在3μm/min至20μm/min内和硅片粗糙度Ra在50nm至300nm范围内的可调性。此外，针对多晶硅/二氧化硅的高蚀刻选择比需求，兴福电子团队开发了PE-1蚀刻液，其蚀刻选择比同样超过100:1。为了提升检测效率与精度，兴福电子团队还完善了混酸组分检测方法，创新了多组分酸性混合物的高效精确检测技术。

基于上述创新技术，兴福团队设计并优化了蚀刻液配方，推出了多款可根据客户具体要求调节的硅蚀刻液产品。这些产品包括选择性P型硅蚀刻液（HNA蚀刻液）、镜面形貌、速率可控的减薄液（D蚀刻液）、粗糙度可调的打毛液（E蚀刻液）以及高选择性的多晶硅蚀刻液（PE-1蚀刻液）。它们分别应用于背照式CMOS芯片、硅片背面减薄工艺、硅片背面打毛工艺以及晶圆制造背面工艺中，对于提高芯片性能、降低生产成本具有重要意义。

目前，兴福硅系列蚀刻液已成功供应给国内多家知名半导体客户，其产品在国内客户中的占有率高达60%以上，并在绍兴中芯、广州粤芯、青岛芯恩、济南比亚迪、华虹集团等知名Fab厂得到广泛应用。

展望未来，湖北兴福电子材料股份有限公司表示，将以成为世界一流电子材料企业为目标，持续加大研发投入，致力于推动集成电路材料技术的不断进步与发展，为集成电路产业的繁荣作出更加积极的贡献。

【奖项申报入口】

2025半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼将于2024年12月举办，奖项申报已启动，目前征集与候选企业/机构报道正在进行中，欢迎报名参与，共赴行业盛宴！

【年度市场突破奖】

旨在表彰2024年度实现单款产品高销售收入或销量收入突出性高增长，在细分领域市场占有率处于领先地位，产品应用市场广泛的企业。

【报名条件】

1、深耕半导体某一细分领域，2024年企业总体营收超过1亿元人民币，或实现20%以上的增长；
2、产品具备较强市场竞争力，在细分领域占据领先的市场份额，具有完全自主知识产权。

【评选标准】

技术或产品的主要性能和指标（30%）；
产品的销量及市场占有率（40%）；
企业营收情况（30%）。

【年度优秀创新产品奖】

旨在表彰补短板、填空白或实现国产替代，对于我国半导体产业链自立自强发展具有重要意义的企业。