兴芯亮剑，赋能先进AI存储

珠海兴芯存储科技有限公司（简称“兴芯存储”）与国内头部MRAM-IDM公司（以下简称“H公司”）签订第一份合作协议近期取得了重大进展：40nm 4Mb MRAM产品于2023年12月出厂。这次的合作将大幅提升H公司MRAM产品达到FRAM产品规格，且具备非常有竞争力的成本。此外，兴芯存储与H公司又签署了第二份合作战略协议，为未来的DRAMRepair产品合作奠定了基础。与此同时，兴芯存储与一家上市存储器公司完成了DRAM/MRAM Bit-by-bit Repair专利授权协议的签署，共同努力以切入庞大的DRAM颗粒市场。 这些合作协议的签署充分证明了兴芯存储在全球存储领域具备独特的创新能力，并展示出其在该领域的高度竞争力。

AIMemory存储器市场可望迎来爆发性成长

随着ChatGPT的出现，再次掀起了全球的AI应用热潮，凭借强大的功能和杰出的用户体验，生成式AI（AIGC）成为近两年最引人关注的技术新浪潮。生成式AI的运用有可能在不久的将来，像工业时代的铁路、电力、印刷等通用技术，影响各个产业。Bloomberg Intelligence报告指出，生成式AI市场可望迎来爆发性成长，在未来10年内从400亿美元的市场规模成长至1.3万亿美元。在训练AI系统所需基础设施的需求推动下，有望以42%的复合年均成长率逐步扩大规模，并在中长期阶段转向对大型语言模型、数字广告、专业软件和服务设施的推理需求。

在这庞大的生成式AI中，硬件是其中不可或缺的一环，支持AI技术的发展涉及算力、存力、网力三大核心要求的各类硬件。庞大的模型训练和任务部署对存力(存储芯片的容量和性能)的需求急剧增加，尤其是高速、高容量和低功耗的内存DRAM。

为了达到高速、高容量和低功耗内存的要求，HBM（High Bandwidth Memory，高带宽内存）因应而生。HBM其实就是将多个采用TSV(Through-Silicon Via直通硅晶穿孔)实现信号纵向连接的DRAM芯片堆叠在一起以实现高速、高容量和低功耗的DRAM模块后再和GPU封装在一起。为了达到高速和低功耗，HBM没有以外部互连线的方式与GPU连接，而是通过中间介质层(Interposer)紧凑而快速低功耗地连接。

国内唯一能赋能Advanced AI Memory的公司

兴芯存储的国际顶尖“DRAM Bit-by-bit Repair专利技术”正可用于HBM以加大单颗DRAM容量数倍并大幅提升良率，从而加大HBM容量数倍或减少DRAM堆叠的数量，进而提升HBM整体良率、大幅降低成本和提升效能。

兴芯存储将携手DRAM大厂，在全球AI Memory市场占有一席之地！

兴芯存储介绍

兴芯存储是一家位于珠海国家高新技术产业开发区的高科技公司，致力于成为全球新兴存储芯片产品设计领域的领导者。作为目前国内唯一能够赋能AI Memory的公司，兴芯存储得到了珠海市政府和工信局的大力支持和关注。

兴芯存储具有强大的自主知识产权，其中最关键的是在存储器业界非常具有颠覆性的核心专利:“位元修复技术(Bit-by-bit Repair)”。相较于传统存储器的行/列修复方式只能修复大约100ppm (0.01%)，也就是1百万个位元只能修复100个位元，修复后存储器位分布于+5个标准差内，兴芯存储的“位元修复技术位元修复效率可以提升1,000倍以上，达到100,000ppm(10%)以上，也就是1百万个位元可以修复10万个位元以上，修复后存储器位元分布小于2个标准差内，大幅提升所有存储器指标。兴芯存储针对不同的存储器，DRAM、MRAM和SRAM均有相对应的“位元修复专利技术，可用于颗粒产品及Silicon IP以大幅提升竞争力。

兴芯存储NV-RAM规格的MRAM技术，是国内第一家达到此规格的厂商。相较于存储器业界目前MRAM达到的规格：读写速度25ns，写入次数(Endurance)~10的10次方，非易失性 (retention)大于125°C /10年，兴芯存储的MRAM芯片使用“位元修复技术”可以大幅提升所有存储器指标并且领先全球达到非易失性内存 (NV-RAM) 规格：良率提升至接近100%，读写速度10ns，写入次数(Endurance)大于10的14次方，非易失性 (retention)大于125°C /10年。