北方华创“刻蚀方法及半导体工艺设备”专利公布

集微网消息,天眼查显示,北京北方华创微电子装备有限公司 “刻蚀方法及半导体工艺设备”专利公布,申请公布日为2024年3月26日,申请公布号为CN117766382A。

本发明涉及半导体制造领域,具体提供一种刻蚀方法及半导体工艺设备。其中,方法包括:向工艺腔室内部通入工艺气体,并使工艺气体与晶圆表面材料进行刻蚀反应,并生成固态生成物;对晶圆进行加热,以使晶圆表面的固态生成物挥发成混合气体,并控制工艺腔室进行排气;其中,混合气体包含特征气体,且特征气体用于表征固态生成物的挥发程度;检测工艺腔室排出的气体中特征气体的含量,并实时判断检测到的特征气体含量是否到达预设值;若否,则继续检测;若是,则停止对固态生成物进行加热,以使固态生成物的挥发程度达到工艺期望的程度,从而有效控制微结构的形貌,保证工艺效果的一致性。


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