北方华创“刻蚀方法及半导体工艺设备”专利公布

集微网消息，天眼查显示，北京北方华创微电子装备有限公司 “刻蚀方法及半导体工艺设备”专利公布，申请公布日为2024年3月26日，申请公布号为CN117766382A。

本发明涉及半导体制造领域，具体提供一种刻蚀方法及半导体工艺设备。其中，方法包括：向工艺腔室内部通入工艺气体，并使工艺气体与晶圆表面材料进行刻蚀反应，并生成固态生成物；对晶圆进行加热，以使晶圆表面的固态生成物挥发成混合气体，并控制工艺腔室进行排气；其中，混合气体包含特征气体，且特征气体用于表征固态生成物的挥发程度；检测工艺腔室排出的气体中特征气体的含量，并实时判断检测到的特征气体含量是否到达预设值；若否，则继续检测；若是，则停止对固态生成物进行加热，以使固态生成物的挥发程度达到工艺期望的程度，从而有效控制微结构的形貌，保证工艺效果的一致性。