华为公布一项SiC晶体相关专利

集微网消息，4月5日，华为技术有限公司公开一项“挡板、芯片、SiC晶体、晶体生长炉和生长方法”专利，申请公布号为CN117822097A，申请日期为2022年9月28日。

该专利摘要显示，本申请实施例公开了一种挡板、芯片、SiC晶体、晶体生长炉和生长方法，涉及碳化硅晶体技术领域，有效改善晶体质量。具体方案为：于晶体生长炉内设置挡板，该挡板的通道可改变炉体内气相源的运动方向，将气相源的运动方向改变为斜向上，使气相源朝向籽晶的小面运动。本申请实施例可提高晶体的生长速度，提高晶体的厚度和质量，降低微管密度。另外，选用低密度石墨作为挡板的材料，当通道被封堵后，低密度石墨内的孔隙可以供气体通过，能进一步降低晶体内包裹物的含量，提高晶体质量。（校对/韩秀荣）