华润微“半导体器件阈值电压老化漂移试验的测试装置及测试方法”专利公布

天眼查显示，华润微电子（重庆）有限公司“半导体器件阈值电压老化漂移试验的测试装置及测试方法”专利公布，申请公布日为2024年5月21日，申请公布号为CN118050610A。

本发明提供一种测试装置，包括：信号产生模块，用于产生频率及占空比可调的方波信号；隔离驱动模块，用于根据方波信号产生幅值可调的驱动信号，其频率及占空比由方波信号决定；待测模块，用于通过开关控制使待测器件处于不同状态；加温模块，用于对待测器件加温；异常比较模块，用于比较待测器件的漏电流和设定电流并产生第一比较结果；阈值比较模块，用于比较待测器件的漏源电流和基准电流并产生第二比较结果；控制与人机交互模块，用于根据第一比较结果判断待测器件是否存在异常，及根据第二比较结果获取待测器件的阈值电压。通过本发明提供的测试装置，解决了现有技术中无专用装置对SIC MOSFET的阈值电压可靠性进行测试的问题。