华羿微电“一种宽SOA屏蔽栅MOSFET器件及制备方法”专利获授权

天眼查显示，华羿微电子股份有限公司近日取得一项名为“一种宽SOA屏蔽栅MOSFET器件及制备方法”的专利，授权公告号为CN118248736B，授权公告日为2024年8月30日，申请日为2024年5月23日。

本发明公开了一种宽SOA屏蔽栅MOSFET器件，通过在器件有源区中间隔错位或者平行排列而形成沟槽宽度和接触孔宽度的不同版图布局，该布局是通过光刻的方式在器件有源区中间隔错位或者平行排列形成沟槽和接触孔不同宽度，使得该区域拥有更窄的沟槽到接触孔距离，从而在接触孔注入后形成该区域与其他区域不同的浓度梯度，实现在器件导通时其他区域优先开启而该区域延迟开启，最终在其他区域优先开启的情况下，该区域可以作为散热场板从而提升器件整体的SOA。本发明还提供了一种上述器件的制备方法，该器件的制备方法与一般功率器件制造工艺兼容，能够应用于平面型以及沟槽型和屏蔽栅型MOSFET甚至超结MOSFET和IGBT等功率器件当中。