华羿微电“新型功率MOSFET器件及其制备方法”专利获授权

天眼查显示,华羿微电子股份有限公司近日取得一项名为“新型功率MOSFET器件及其制备方法”的专利,授权公告号为CN109524472B,授权公告日为2024年7月19日,申请日为2018年12月29日。

本发明属于半导体功率器件技术领域,具体涉及到一种新型功率MOSFET器件及其制备方法,器件包括漏极金属区层、N+单晶硅衬底、N‑外延层、P型阱区层、N+源极区、绝缘介质层、源级金属区层,还包括沟槽;第一栅氧化层和第二栅氧化层;第一多晶硅层和第二多晶硅层及接触孔。本发明还提供了该器件的制备方法,本发明使得器件拥有较低Qgd的同时,也拥有较低的导通电阻,且制备方法无需增加新的成本,提高了市场竞争力,且具有推广价值。


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