华羿微电“新型功率MOSFET器件及其制备方法”专利获授权

天眼查显示，华羿微电子股份有限公司近日取得一项名为“新型功率MOSFET器件及其制备方法”的专利，授权公告号为CN109524472B，授权公告日为2024年7月19日，申请日为2018年12月29日。

本发明属于半导体功率器件技术领域，具体涉及到一种新型功率MOSFET器件及其制备方法，器件包括漏极金属区层、N+单晶硅衬底、N‑外延层、P型阱区层、N+源极区、绝缘介质层、源级金属区层，还包括沟槽；第一栅氧化层和第二栅氧化层；第一多晶硅层和第二多晶硅层及接触孔。本发明还提供了该器件的制备方法，本发明使得器件拥有较低Qgd的同时，也拥有较低的导通电阻，且制备方法无需增加新的成本，提高了市场竞争力，且具有推广价值。