华虹宏力“一种制作斜齿光栅结构的方法”专利公布

集微网消息，天眼查显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司“一种制作斜齿光栅结构的方法”专利公布，申请公布日为2024年4月5日，申请公布号为CN117826295A。

本申请提供一种制作斜齿光栅结构的方法，包括：步骤一，提供第一硅基体，在其上形成第一光刻胶层；步骤二，采用灰度掩模版对第一光刻胶层实施曝光，显影后其由多个正梯形结构构成；步骤三，刻蚀第一硅基体，在其中形成多个倒梯形沟槽，而后去除第一光刻胶层；步骤四，在沟槽内填充牺牲介质层；步骤五，键合第二硅基体后，翻转第一硅基体，背面减薄直至露出牺牲介质层；步骤六，形成第二光刻胶层后，采用灰度掩模版对其实施曝光，显影后其由多个正梯形结构构成；步骤七，以第二光刻胶层为掩模，刻蚀露出的牺牲介质层和第一硅基体；步骤八，去除第二光刻胶层后，去除未被刻蚀的牺牲介质层。该方法具有大规模、低成本生产优势。