华虹宏力“一种制作斜齿光栅结构的方法”专利公布

集微网消息,天眼查显示,上海华虹宏力半导体制造有限公司“一种制作斜齿光栅结构的方法”专利公布,申请公布日为2024年4月5日,申请公布号为CN117826295A。

本申请提供一种制作斜齿光栅结构的方法,包括:步骤一,提供第一硅基体,在其上形成第一光刻胶层;步骤二,采用灰度掩模版对第一光刻胶层实施曝光,显影后其由多个正梯形结构构成;步骤三,刻蚀第一硅基体,在其中形成多个倒梯形沟槽,而后去除第一光刻胶层;步骤四,在沟槽内填充牺牲介质层;步骤五,键合第二硅基体后,翻转第一硅基体,背面减薄直至露出牺牲介质层;步骤六,形成第二光刻胶层后,采用灰度掩模版对其实施曝光,显影后其由多个正梯形结构构成;步骤七,以第二光刻胶层为掩模,刻蚀露出的牺牲介质层和第一硅基体;步骤八,去除第二光刻胶层后,去除未被刻蚀的牺牲介质层。该方法具有大规模、低成本生产优势。


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