华虹宏力“半导体器件”专利获授权

集微网消息，天眼查显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司近日取得一项名为“半导体器件”的专利，授权公告号为CN113192948B，授权公告日为2024年4月5日，申请日为2021年4月27日。

本发明提供了一种半导体器件，包括基底，具有第一区域和第二区域，所述第一区域位于相邻的两个所述第二区域之间；两个子漏区，位于所述基底的第一区域内；dummy结构，位于相邻两个所述子漏区之间的所述基底上；源区，位于所述基底的第二区域内；栅极结构，位于所述第一区域和第二区域之间的所述基底上；本发明通过所述dummy结构来提高器件的ESD能力，且无需现有技术的SAB光罩也不需引入新的工艺流程，能够直接在制造工艺中同步形成所述dummy结构，以降低器件的制造成本。