华虹宏力“薄膜的检测方法”专利获授权

集微网消息，天眼查显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司近日取得一项名为“薄膜的检测方法”的专利，授权公告号为 CN113594056B，授权公告日为2024年4月16日，申请日为2021年7月30日。

本发明提供一种薄膜的检测方法，通过对外围区域的待测薄膜进行光学检测，可得到所述外围区域的待测薄膜的最大的光反射率和最小的光反射率；并通过比较所述外围区域的待测薄膜的最大的光反射率和最小的光反射率之间的差值，可判断所述待测薄膜的位置是否发生偏移。因此，本发明通过检测待测薄膜的最大的光反射率和最小的光反射率，可实现检测所述待测薄膜的位置是否发生偏移，且检测精度更高，便于实时的对所述待测薄膜进行检测，从而可实时辨识薄膜的异常情况，提升产品的良率。