华虹宏力“闪存的上电校验方法和装置”专利公布

集微网消息，天眼查显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司“闪存的上电校验方法和装置”专利公布，申请公布日为2024年3月1日，申请公布号为CN117636924A。

本发明公开了一种闪存的上电校验方法，包括：步骤一、形成上电复位信号。步骤二、电荷泵字线读取电压以及控制栅线读取电压。步骤三、采用验证码进行验证。验证码的数据‘1’采用一个存储单元存储且存储单元设置为：和控制栅线读取电压连接的控制栅对应的浮栅存储‘0’，接地的控制栅对应的浮栅存储‘1’。步骤四、对验证结果进行判断，如果验证成功，则进行后续步骤五；如果验证失败，则重复进行步骤三。步骤五、加载闪存的修调信息；修调信息的数据‘1’采用一个存储单元存储且存储单元设置为：各浮栅都存储‘1’。本发明还公开了一种闪存的上电校验装置。本发明能防止上电时闪存内部电压不稳定造成的数据加载错误，保证上电的可靠性。