华进半导体“一种单片集成的高精度高速双光斑同步位置探测器结构”专利获授权

天眼查显示，华进半导体封装先导技术研发中心有限公司近日取得一项名为“一种单片集成的高精度高速双光斑同步位置探测器结构”的专利，授权公告号为CN114111577B，授权公告日为2024年7月2日，申请日为2021年11月24日。

本发明公开了一种双光斑同步位置探测器，包括：第一位置敏感探测器；第二位置敏感探测器；以及隔离区，其中所述第一位置敏感探测器和所述第二位置敏感探测器的光敏区通过所述隔离区分开。