南智光电晶圆级薄膜铌酸锂PDK正式发布

据南京江北新区产业技术研创园消息，近日，园区企业南智光电主导的晶圆级薄膜铌酸锂器件工艺开发包1.0版正式发布，该PDK的发布标志着晶圆级薄膜铌酸锂光电子器件设计与加工工艺标准化取得新的重要进展。

南智光电成立于2018年4月，主要开展光学微纳结构器件制造、异质集成光电芯片、光电子封装测试和光电集成设计等方向的技术研发和量产代工，已建成“薄膜铌酸锂+X”（X代表硅、化合物半导体、低维材料等）光子芯片产线，可为光电企业、高校院所提供芯片器件研制、开发和代工生产。

据悉，南智光电致力于晶圆级薄膜铌酸锂器件的制备工艺开发，通过PDK规范并定义调制器等器件加工所需的各类关键信息，可有效减少客户从设计到流片的时间成本，降低企业在研发和生产过程中的试错成本，提高生产效率。

据悉，该PDK中提供各种有源、无源器件，包括低损耗弯曲波导、分束器、端面耦合器和高速马赫曾德尔调制器等。基于该PDK，南智光电可提供多项目晶圆（MPW）和定制化芯片制造服务。南智光电消息显示，该PDK第一次MPW服务时间定于8月初。（校对/韩秀荣）