厦门思坦:创新驱动 单屏全彩Micro-LED显示模组实现新突破

【编者按】2024年度IC风云榜再度升级,奖项扩展至35个、榜单增至59项,不仅在形式和深度上焕然一新,而且分类更加科学全面,产业触达程度更深、行业影响力持续扩大。本届评委会由半导体投资联盟超100家会员单位、500+半导体行业CEO共同担任,获奖名单将于2024半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼上隆重揭晓,激发产业创新潜能,树立产业新标杆。

【候选企业】厦门思坦集成科技有限公司(以下简称厦门思坦)

【候选奖项】年度最具成长潜力奖、年度技术突破奖、年度优秀创新产品奖

在超高清显示时代对画质和分辨率等规格提出更高要求的背景下,Micro-LED技术被业内誉为下一代显示技术,代表着未来的一个重要发展方向。 由于Micro-LED在亮度、分辨率、对比度上均显著优于OLED 和 LCD,在国内外巨头的推动下,新一代的Micro-LED逐渐崭露头角,多家企业布局Micro-LED,也带动了对发光芯片及显示模组的强需求。

作为专业从事Micro-LED技术研发、生产、销售的高新技术企业,厦门思坦作为思坦科技的芯片设计基地,主攻第三代半导体光电芯片设计和硅基CMOS驱动芯片设计与流片。2022年11月,厦门思坦隆重举行竣工仪式,标志着思坦科技的Micro-LED产业化进程迈入了新的发展阶段,真正实现Micro-LED由设计到流片、由中试到量产的完整闭环。联合创始人邱成峰博士被评为福建省级高层次人才(A类),团队主要对Micro-LED显示关键技术及驱动IC技术进行研究和产业化,相关技术成果已应用于公司多款产品。

厦门思坦一方面聚焦Micro-LED芯片显示技术研发,拥有“光电子芯片技术”与“巨量转移技术”等技术创新团队,以解决Micro-LED技术与产业化过程中的实际问题。目前,厦门思坦申请知识产权13件,于2023年被认定为“科技型中小企业”。另一方面以实现Micro-LED量产为目标,配备了世界先进的智能现代化洁净厂房,具有年产10KK微小尺寸Micro-LED显示模组的生产能力。

在产品方面,今年4月,厦门思坦自主设计硅基CMOS驱动,研制出0.18英寸Micro-LED显示模组,可满足消费级AR眼镜在户外场景下的使用需求;5月,推出面向AR/XR的国产Micro-LED显示驱动芯片,型号为SMD013G1W002;9月,厦门思坦推出了三种尺寸的单色Micro-LED显示模组及0.45英寸单屏全彩Micro-LED显示模组。目前,团队设计完成超高PPI Micro-LED驱动芯片,驱动创新能力始终走在行业前列。

这一模组是厦门思坦基于高亮度Micro-LED显示模组和量子点转色技术,通过光学仿真设计、器件结构优化、色转换工艺优化等一系列的技术创新与研发,攻克了光串扰、色纯度等技术难题开发的,彩色分辨率为960*540,亮度高达10000尼特。

据悉,这一模组有三大创新点:一是Micro-LED器件制备工艺创新:通过对GaN基发光器件工艺优化,解决由于“尺寸效应”和“边缘效应”引起的半导体器件量子效率衰减问题,制备高效率GaN基发光器件。

二是关键驱动电路技术创新:基于应用和电路特点,优化Mirco-LED驱动电路,实现高分辨率像素显示。

三是彩色化显示技术与工艺创新:采用喷墨打印技术,改善提高GaN基Micro-LED蓝光器件与量子点的兼容性,实现高光效、宽色域的单片集成复合全彩显示。

厦门思坦介绍,0.45英寸单屏全彩Micro-LED显示模组主要应用于AR/XR眼镜,可打破现有Micro-LED AR/XR眼镜单色显示的局限,实现单屏全彩,将视场角提升了近45%,进一步减小Micro-LED AR/XR眼镜的体积、功耗和重量,满足终端客户对小体积、大视场角的显示需求。

在0.45英寸单屏全彩Micro-LED显示模组等创新产品的助力之下,厦门思坦预计今年营收将有新的突破。

【奖项申报入口】

2024半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼将于2023年12月举办,奖项申报已启动,目前征集与候选企业/机构报道正在进行,欢迎报名参与,共赴行业盛宴!

【年度最具成长潜力奖】

面向在半导体某一细分领域中,技术与产品有所突破并即将进入高速发展期,且得到知名机构投资的企业;和已形成较强的细分领域竞争优势,发展速度较快的企业。奖项旨在表彰这些具有成长潜力的行业新兴企业,助力投资人和项目方更好地洞悉市场环境和行业趋势,推进企业跨越式发展。

【报名条件】

1、在半导体某一细分领域中,技术与产品有所突破并即将进入高速发展期,且得到知名机构投资;或已形成较强的细分领域竞争优势,发展迅速的企业。

2、2023年主营业务收入为500万—1亿元的创业企业。

【评选标准】

1、评委会由数百位半导体行业CEO共同组成;

2、每位评委限投5票,最终按企业得票数量评选出“年度最具成长潜力奖”。

【年度技术突破奖】

旨在表彰2023年度于前沿技术领域开展原始性重大技术创新,达到国际先进/领先水平,未来或产生重大经济社会效益,对于推动我国集成电路产业链自主安全可控发展发挥重大作用的企业。

【报名条件】

1. 深耕半导体某一细分领域,2023年发布的新技术或产品具有原始性重大技术创新,达到国际先进/领先水平;

2. 产品应用范围广,具有良好市场前景,对全球及国内半导体产业发展起到重要作用。

【评选标准】

1、技术的原始创新性(50%)

2、技术或产品的主要性能和指标(30%)

3、产品的市场前景及经济社会效益(20%)

【年度优秀创新产品奖】

旨在表彰补短板、填空白或实现国产替代,对于我国半导体产业链自立自强发展具有重要意义的企业。

【报名条件】

1、深耕半导体某一细分领域,近一年内实现新产品的研发及产业化;

2、产品的技术创新性强,具有自主知识产权,产生一定效益,促进完善供应链自立自强。

【评选标准】

1、技术或产品的主要性能和指标(30%)

2、技术的创新性(40%)

3、产品销量情况(30%)


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