国际大厂纷纷投入HBM制造，挤压标准型DRAM产能

英特尔和AMD都预计于2024年推出搭载DDR5的新平台，带动新一波的换机潮与AI PC的发展。大型服务器、数据中心和高阶工作站等需要高速及大容量的DRAM，以实现更快的数据存取速度，进一步促进DRAM需求，根据市调机构集邦科技统计，DRAM受惠产品合约价上扬，第1季营收183.5亿美元、季增5.1%， DRAM三大供应商三星、SK 海力士、美光第一季受淡季效应影响出货同步减少，加上库存水位正常，意图延续2023年第四季合约价上涨的氛围。

但为了加速推广AI技术广泛应用，国际大厂纷纷投入高频宽记忆体(HBM) 制造，挤压标准型DRAM产能，摩根士丹利就预测，2025年将出现前所未见的DRAM 供需失衡「超级周期」，并将今年第三季DRAM 和NAND Flash芯片价格涨幅预估由原预期的8%和10%，调升至13%和20%。瑞银证券最新报告也认同国际DRAM大厂抢攻HBM，造成标准型DRAM产能排挤效应，将推升产业迈向上升周期。