士兰微增资41.5亿,建设8英寸SiC功率器件制造生产线
5月21日晚间,杭州士兰微电子股份有限公司发布公告,公司拟与厦门半导体投资集团有限公司、厦门新翼科技实业有限公司共同向子公司厦门士兰集宏半导体有限公司增资41.5亿元并签署《8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目之投资合作协议》。
各方合作在厦门市海沧区合资经营项目公司“厦门士兰集宏半导体有限公司”,以项目公司负责作为项目主体建设一条以SiC-MOSEFET为主要产品的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线,产能规模6万片/月。
第一期项目总投资70亿元,其中资本金42.1亿元,占约60%;银行贷款27.9亿元,占约40%。第二期投资50亿元,在第一期的基础上实施(第二期项目资本结构暂定其中30亿元为资本金投资,其余为银行贷款。
据天眼查信息,厦门士兰集宏半导体有限公司,成立于2024年。企业注册资本6000万人民币。