士兰微“MEMS结构及其制造方法”专利获授权

天眼查显示,杭州士兰微电子股份有限公司近日取得一项名为“MEMS结构及其制造方法”的专利,授权公告号为CN109678102B,授权公告日为2024年7月19日,申请日为2018年12月28日。

本申请公开了MEMS结构及其制造方法。所述方法包括:在半导体衬底中形成空腔;在所述空腔上形成敏感膜片;以及在所述敏感膜片中形成多个敏感电阻;其中,所述敏感膜片包括岛状部以及围绕所述岛状部的连接部,所述岛状部的厚度大于所述连接部的厚度,并且所述多个敏感电阻位于所述连接部。该方法采用不均匀厚度的敏感膜片,使得压力集中于连接部以提高灵敏度。


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