大普微电子“寄生电容过载的检测方法”专利获授权

天眼查显示，深圳大普微电子股份有限公司近日取得一项名为“寄生电容过载的检测方法”的专利，授权公告号为CN117420966B，授权公告日为2024年5月28日，申请日为2023年12月19日。

本申请实施例涉及存储设备应用领域，公开了一种物理地址的编址方法及闪存设备，方法包括：获取第一介质最小单元的编号、第一介质最小单元所在的超级页的编号、第一介质最小单元所在的超级块的编号；将超级块的编号与超级页的编号，分别转换为第一偏移量、第二偏移量；根据第一介质最小单元的编号、第一偏移量与第二偏移量，确定第一物理最小单元地址。通过将第一介质最小单元所在的超级块的编号与超级页的编号，分别转换为第一偏移量、第二偏移量，结合第一介质最小单元的编号确定第一物理最小单元地址，本申请能够提高比特位的利用率，使得介质最小单元的物理地址对应的位宽小于PMA分区编址格式对应的位宽，节省闪存设备的内存空间。