思锐智能双主线业务布局，助力中国半导体设备国产化技术创新

近日，第十二届半导体设备材料与核心部件展示会（CSEAC 2024）在无锡太湖国际博览中心成功落下帷幕，这一盛会为各参展商搭建了一个展示尖端半导体设备、先进材料以及技术解决方案的卓越平台，不仅促进了产品与技术的深度融合，还加强了产业链上下游企业间的合作与对话。

青岛四方思锐智能技术有限公司受邀参展，不仅展示了在原子层沉积（ALD）和离子注入（IMP）技术上的创新成果，还在多个备受瞩目的论坛上发表精彩演讲，向与会嘉宾深入分享了半导体装备如何推动中国集成电路产业的发展。

半导体制造设备国产化正当时-发展离子注入产品系列矩阵

半导体制造设备是半导体产业发展的基石，据SEMI的统计数据，2024上半年中国地区半导体设备销售额近230 亿美元，占全球的43%，是全球最活跃的半导体设备市场之一。随着市场规模的增长，主要的半导体前道设备进口数量却与2023年基本持平，部分产品甚至略有下降，印证了国产化的比例正在持续提升。但这并不包括离子注入设备，作为芯片制造的四大核心工艺装备之一，离子注入机进口数量在2024上半年激增，说明离子注入机的国产化进程依然任重而道远。

在CSEAC 2024主峰会论坛上，思锐智能董事长聂翔汇报了公司的最新进展：“思锐智能高能离子注入机自去年在CSEAC大会发布后，就成功move in到客户端并开始了工艺验证。在客户的大力支持下，今年上半年该设备已顺利转入量产阶段，关键技术指标全面得到验证，设备的置换率也达到了令人满意的水平。此外，在过去的一年中，SRII高能离子注入机还为逻辑、存储和功率器件客户完成了大量测试，均能满足不同应用的需求，有望在今年应用于更多领域的客户端。”

思锐智能董事长聂翔发表主题演讲

正如聂翔董事长总结的，经过三年的不懈努力，思锐智能已构建了系列化、平台化的离子注入机产品线，以高能离子注入机和大束流离子注入机为基础，并不断扩展覆盖包括碳化硅（SiC）在内的功率半导体领域，满足多样化的应用需求。这一系列技术进展，不仅标志着思锐智能在离子注入技术领域取得了重大突破，也预示着国产离子注入机在国际市场上的竞争力正在逐步增强。

深耕细作ALD-打造第三代半导体制造关键设备

在离子注入技术不断取得突破的同时，思锐智能在原子层沉积ALD这个具有四十多年技术沉淀的业务上也持续深耕细作。展会同期的功率及化合物半导体产业发展论坛上，思锐智能副总经理陈祥龙着重探讨了随着第三代半导体材料如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）在高温、高压和高频应用中展现出巨大的潜力，如何选择合适的薄膜沉积设备，匹配不断发展的宽禁带半导体制造工艺需求。

思锐智能副总经理陈祥龙发表主题演讲

例如针对GaN中常见的界面问题，思锐智能凭借深厚的技术积累和在客户端积累的丰富经验，提供了原位等离子体处理、原位生长高质量的PEALD膜层、热法ALD的一套三步解决方案，可改善GaN器件的动态性能，降低器件的回滞，目前已通过国内外GaN领域知名企业的量产验证。ALD的优越性同样体现在沟槽型SiC栅氧结构上，思锐智能凭借ALD高保形性、高致密性及对纳米厚度的精准控制等工艺优势，成功解决了热氧化在3D结构上厚度不均、电性不一致的难题。

而针对沟槽型SiC结构，陈祥龙副总经理也谈到了思锐智能即将推出的SiC离子注入机。经过技术团队日以继夜的研发，思锐智能已基本实现技术攻关，解决了铝离子源长期寿命-可靠性与高能离子注入情况下的高温注入可靠性问题。思锐智能在成熟稳定的高能机平台上，完成SiC高能离子注入机的研发，工艺数据也在逐步完善中。

“双主线”战略布局-助力中国半导体设备国产化技术创新

在全球半导体产业竞争日趋激烈的今天，中国半导体设备制造业正迎来转型升级的关键时期。据聂翔介绍，思锐智能秉承国内国外协同发展的理念，统筹优质的海外资源，依托国内不断成长的本地化创新能力，在2024年完成ALD+IMP的双主线核心战略布局，提供具有自主可控核心关键技术的系统装备产品和技术服务方案，持续推动中国半导体设备国产化进程和技术路径创新。