敏芯微“微差压芯片的制造方法与微差压芯片”专利公布

天眼查显示，苏州敏芯微电子技术股份有限公司“微差压芯片的制造方法与微差压芯片”专利公布，申请公布日为2024年7月19日，申请公布号为CN118359167A。

本发明的实施例公开了一种微差压芯片及其制造方法，其中的制造方法包括：提供衬底，在衬底的一侧形成振膜层；在振膜层背离衬底的一侧形成牺牲层；对牺牲层进行刻蚀以形成第一通孔；在牺牲层背离衬底的一侧形成第二介质层和导电层，在第一通孔内填充形成第一支撑结构；对导电层和第二介质层进行刻蚀以形成释放孔以及均压通道；释放牺牲层，以形成间隙层；形成绝缘层，绝缘层密封释放孔；在均压通道内对振膜层进行刻蚀，以形成与均压通道连通的均压孔；在衬底背离振膜层的一侧对衬底进行刻蚀，以形成背腔，背腔通过均压孔与均压通道连通，以得到微压差芯片。本发明避免了污染颗粒能在芯片内直接通过均压通道进入间隙层，提高产品的可靠性。