版主 普莱信：打破传统技术，致力于成为半导体封装设备领军企业
【编者按】2024年度IC风云榜再度升级，奖项扩展至35个、榜单增至59项，不仅在形式和深度上焕然一新，而且分类更加科学全面，产业触达程度更深、行业影响力持续扩大。本届评委会由半导体投资联盟超100家会员单位、500+半导体行业CEO共同担任，获奖名单将于2024半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼上隆重揭晓，激发产业创新潜能，树立产业新标杆。
【候选企业】东莞普莱信智能技术有限公司（以下简称：普莱信）
【候选奖项】年度最具成长潜力奖、年度技术突破奖
集微网消息，随着本土封装测试企业的快速成长，中国的集成电路封装测试行业发展迅速，半导体封装设备市场需求量增长迅速。
作为一家高端装备平台型企业，普莱信拥有运动控制、伺服驱动、直线电机、机器视觉等底层核心技术，为IC封装、光通信封装、Mini/Micro LED巨量转移、功率器件封装、先进封装等行业提供高端装备和智能化解决方案，致力于成为全球半导体封装设备领军企业，力促高端半导体封装设备的国产化。
普莱信总部及生产中心位于东莞，在深圳、香港、苏州设有研发和销售中心，现有员工200余人，以名校博士硕士为核心；同时，在东莞拥有3.5万余平米的生产厂房，采用从机加，组装到测试垂直一体化的模式，保证了公司产品的质量及交期。
依托强大的研发后盾，普莱信产品线日趋丰富，产品已经在多领域打破国际技术垄断。在半导体封装设备领域，普莱信智能的IC高精度固晶机DA801(8英寸)和DA1201(12英寸)，倒装覆晶和固晶机DA1201FC，贴装精度达到±10-25μm，速度、精度和稳定性等性能完全娉美国际品牌，广泛应用于DFN、QFN、BGA、LGA、SiP等封装；普莱信智能的高速夹焊系统Clip Bonder，为功率器件Clip Bond封装提供固晶、夹焊至回焊一站式解决方案。
在光通信封装设备领域研发有多功能超高精度固晶机DA403（固晶/共晶），超高精度固晶机DA402/DA401A，高精度无源耦合机Lens Bonder，贴装精度达到±3μm，广泛应用于高端光模块、激光雷达、TEC、硅光等亚微米级封装。
在传统封装技术和设备日趋成熟，竞争激励的当下，普莱信一直秉承技术领先的发展策略，
在其开发的原本用于Mini/Micro LED的巨量转移技术XBonder Pro设备基础上，结合面板级封装的技术要求，开发了专用于面板级封装的P-XBonder，可根据不同芯片大小和精度要求，UPH可以高达120K；可以提供高达5μm的高精度模式；最大可以支持900X700基板，全尺寸覆盖板级封装的要求。
在Mini LED/Micro LED巨量转移设备领域，为了降低Mini/Micro LED量产成本，普莱信智能发布新一代倒装刺晶工艺的巨量转移设备XBonder Pro，采用先进的倒装刺晶工艺，拥有自主知识产权，支持Mini／Micro LED的背光和直显产品，贴装精度±5-15μm@3σ，支持最小芯片尺寸至10μm，已将固晶良率从99.99%提升到99.999%。目前，该产品已通过多家客户试样，并小批量交货。
超高速刺晶机XBonder Pro具有占地小，能耗低，无需排片的特点，真正实现巨量转移，在技术、设备投资、厂房建设、生产成本（耗电，耗气，洁净房）上有着颠覆性的成本优势：
1、超高速：传统高速固晶设备生产速度可达（UPH）不高于40K， XBonder速度最高可以达到360K；
2、高精度：根据芯片尺寸及Pitch大小，打件精度控制在±15μm以内，最高精度可以做到±5μm；
3、全尺寸芯片支持：支持最小至10μm，最大至800μm的芯片，覆盖从Micro LED到MiniLED的全尺寸；
4、背光直显全支持：可以根据芯片大小，打件芯片间距可以做到最小10μm，支持各种RGB模式的直显打件需求；
5、占地小，能耗低：在相同UPH产能下，占地空间、耗电，耗气量为传统固晶机的五分之一以下；
6、支持大基板：XBonder Max专为大尺寸基板设计，最大可以支持950X500的基板；
7、工艺简单：不需要排片工艺，在传统分选上直接打件，规避了激光或者Stamp方式巨量转移在排片上的瓶颈，极大降低设备投资，占地和能耗。
通过多年软、硬件开发领域的技术积累，普莱信长期专注于封装技术领域，已经拥有的半导体工艺技术、高速高精运动控制平台技术、直线电机及驱动技术、全面的建模和算法能力等多项核心技术，为其在国内外市场竞争建立了极深的技术壁垒。
在Mini/Micro LED、半导体、光通信等前沿技术领域，普莱信沉淀出丰富的自有核心技术及系列自主产品，不断践行国家发展战略，为产业升级贡献力量。
2024半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼将于2023年12月举办，奖项申报已启动，目前征集与候选企业/机构报道正在进行，欢迎报名参与，共赴行业盛宴！
【年度最具成长潜力奖】
面向在半导体某一细分领域中，技术与产品有所突破并即将进入高速发展期，且得到知名机构投资的企业；和已形成较强的细分领域竞争优势，发展速度较快的企业。奖项旨在表彰这些具有成长潜力的行业新兴企业，助力投资人和项目方更好地洞悉市场环境和行业趋势，推进企业跨越式发展。
【报名条件】
1、在半导体某一细分领域中，技术与产品有所突破并即将进入高速发展期，且得到知名机构投资；或已形成较强的细分领域竞争优势，发展迅速的企业；
2、2023年主营业务收入为500万——1亿元的创业企业；
【评选标准】
1、评委会由数百位半导体行业CEO共同组成；
2、每位评委限投5票，最终按企业得票数量评选出“年度最具成长潜力奖”；
【年度技术突破奖】
旨在表彰2023年度于前沿技术领域开展原始性重大技术创新，达到国际先进/领先水平，未来或产生重大经济社会效益，对于推动我国集成电路产业链自主安全可控发展发挥重大作用的企业。
【报名条件】
1、深耕半导体某一细分领域，2023年发布的新技术或产品具有原始性重大技术创新，达到国际先进/领先水平；
2、产品应用范围广，具有良好市场前景，对全球及国内半导体产业发展起到重要作用。
【评选标准】
1、技术的原始创新性；（50%)
2、技术或产品的主要性能和指标；(30%)
3、产品的市场前景及经济社会效益；（20%）
