智芯微“光刻胶均匀覆盖晶圆表面的仿真方法”专利公布

天眼查显示，北京智芯微电子科技有限公司“光刻胶均匀覆盖晶圆表面的仿真方法”专利公布，申请公布日为2024年8月16日，申请公布号为CN118502201A。

本发明涉及半导体工艺技术领域，提供一种光刻胶均匀覆盖晶圆表面的仿真方法，包括：在仿真工具中输入沉积光刻胶和硬掩膜的命令，在晶圆表面形成均匀厚度的第一光刻胶和第一掩膜版；利用仿真工具中的photo命令，在第一掩膜版表面形成具有预设图形窗口的第二光刻胶第二掩膜版；输入刻蚀命令，在第二掩膜版的保护下对第一掩膜版进行刻蚀，在第一掩膜版形成刻蚀窗口；输入刻蚀命令，在第一掩膜版的保护下沿第一掩膜版的刻蚀窗口对第一光刻胶进行刻蚀；输入刻蚀命令，刻蚀掉第一光刻胶表面剩余的第一掩膜版，得到均匀覆盖晶圆表面的光刻胶。本发明解决了仿真工具中photo命令下涂覆光刻胶的高度不能随晶圆表面的高度变化而变化的问题。