最高资助3000万！深圳征集年度科技重大专项备选课题

集微网消息，4月30日，深圳市科技创新局发布“关于征集2024年度科技重大专项备选课题的通知”，面向全市企业、高校、科研机构征集2024年科技重大专项备选课题，征集时间为2024年4月30日起至2024年5月21日，征集的课题将作为2024年科技重大专项指南编制参考。

征集的专项包括半导体与集成电路、智能机器人、网络与通信、低空经济与空天、新药疫苗、健康诊疗、新材料、光载信息、合成生物、可持续发展（生态环境和双碳技术、安全应急技术、农业、海洋、食品与化妆品技术）等10个专项，每个专项均设立具体的重点支持方向。

其中，半导体与集成电路专项重点支持方向包括开源RISC-V处理器技术、新型AI计算芯片、新一代智能EDA、先进IP技术、先进工艺和先进封装、硅光芯片技术、新型光刻技术、CPU/DPU/FPGA等高端通用芯片、通信和物联网芯片、存储芯片相关技术、第三代半导体器件及车规级芯片、半导体核心设备，共12个方向。

据悉，科技重大专项单个项目资助强度最高不超过3000万元。受科技研发资金年度总额控制，各专项发布课题有数量限制，一般只设少量资助金额1000万元以上的课题、若干500万元（含）-1000万元（含）的课题、适量500万元以下的课题。

课题征集结束后，深圳市科技创新局将组织凝练，形成2024年科技重大专项申报项目指南，以“揭榜挂帅”形式发布。

以下为半导体与集成电路专项征集方向情况：

1.开源RISC-V处理器技术

聚焦大数据、云计算、服务器、人工智能等产业共性需求，开发和完善RISC-V开源硬件和软件系统，支持RISC-V多核架构、精准评估模型、软件工具链及生态等创新研发，鼓励RISC-V架构的相关软硬件IP知识产权研发创新。研制面向数据中心、服务器、人工智能等产业的高端RISC-V处理器芯片产品。

2.新型AI计算芯片

开展新型计算芯片架构研究，研发存算一体、类脑计算等面向人工智能领域的原生芯片架构；研究多源多模态感、存、算融合智能接口芯片技术；研究大阵列GPU流处理器体系架构；聚焦智能城市、人形机器人、智能终端等典型人工智能应用场景，布局异构智能、异构并行、边缘计算等低功耗新型AI计算芯片，支持边缘端万亿参数模型推理和参数优化训练。

3.新一代智能EDA

聚焦集成电路设计企业需求，加强EDA企业与晶圆代工企业之间的合作，开展数字、模拟、射频、功率器件等领域EDA全链条工具研发，加速构建具有自主知识产权的EDA技术体系；顺应芯片复杂度及设计效率提升的趋势，运用人工智能技术升级EDA工具，实现与国产计算架构协同融合。

4.先进IP技术

加强IP企业与设计、晶圆代工和封装等企业之间的合作，开展高速接口、处理器、模拟等领域IP研发；开发SerDes、DDR5、HBM3E（第三代高带宽内存）、ONFi（Open NAND Flash Interface）、UCIe、Ethernet PHY等先进高速接口IP，开发高速度ADC/DAC IP等。

5.先进工艺和先进封装

研究5nm以下环栅晶体管（GAA）器件工艺，研究新型垂直互补场效应晶体管（CFFT）等新型器件结构和工艺。攻坚异质异构集成、高密度垂直互联、晶圆级封装（WCP）微凸点、芯粒（Chiplet）、混合键合、高速互联等先进封装工艺技术。

6.硅光芯片技术

聚力发展光电融合芯片技术，研究探测器材料机理和结构，开发中红外光电探测器和太赫兹探测器；开展基于硅光集成的光电芯片、片上光互联等技术研究；开展光电混合计算、全模拟光电智能计算、全光神经网络（ONN）、集成光学计算架构等光子计算技术研究。

7.新型光刻技术

面向14nm及以下工艺的光刻技术需求，开展EUV光源、双重成像、浸没式光刻、近场光刻、电子束光刻（EBL）、离子束光刻（IBL）、X射线光刻（XRL）等各种光刻关键技术研究。研究面向14nm及以下工艺的掩模版制作技术。

8.CPU/DPU/FPGA等高端通用芯片

研究基于自主知识产权指令集研发CPU/DPU/FPGA等高性能通用芯片产品，重点支持高性能计算/服务器CPU、大型数据中心/边缘计算DPU、千万级以上逻辑单元的FPGA等，突破软硬件、IP知识产权和工具链等关键技术。

9.通信和物联网芯片

聚焦移动互联网、5G/6G通信、云计算等应用需求，研究5G以上基带芯片、Wi-Fi 7芯片、射频前端芯片等产品；研发支持泛物联网通信模组的物联网芯片，解决大容量数据传输系统、新一代通信系统和高性能计算机中高速互连通信的关键技术。

10.存储芯片相关技术

聚焦企业级、工业级用户数据中心对海量数据存储和传输应用需求，研究HBM（高带宽内存）技术，研究高传输速率、延迟低存储主控芯片。研究3D NAND堆叠等存储芯片封装核心工艺技术。研究电阻式存储器(ReRAM)、相变存储器（PCM）、磁阻存储器(MRAM)、铁电存储器（FeRAM）等新型存储器件。

11.第三代半导体器件及车规级芯片

布局氮化镓、氮化铝、金刚石等为代表超宽禁带半导体器件开发;研究第三代半导体新型器件结构、封装和集成冷却技术;开发IGBT/MOSFET器件。聚焦汽车核心器件需求，研究E/E架构区域处理芯片、高级驾驶辅助系统（ADAS）算力芯片、电池监测和管理BMS（电池管理系统）芯片等。

12.半导体核心设备

鼓励引导具有一定基础的泛半导体设备企业转型布局半导体设备，重点围绕14nm以下工艺需求的沉积、刻蚀系统、离子注入机、PVD/CVD设备、扩散设备等前道设备，固晶机、倒装封装等关键封装设备，28nm以下工艺需求的检测量测设备进行攻关。（校对/韩秀荣）