朱樟明、刘术彬团队在亚10K低温高速模拟集成电路取得重要突破

西安电子科技大学模拟集成电路重点实验室(朱樟明、刘术彬团队)在亚10K低温CMOS高速集成电路领域取得重要突破。在国家重大项目支持下,项目组系统研究了低温载流子冻析效应、阈值电压漂移等非理想效应,基于28nm CMOS工艺建立了低温器件修正模型,结合片内共模自校准技术,研制了12位10GS/s低温宽带模数转换器(ADC)芯片,采用16通道时序交织架构和宽带输入缓冲器,最低4K温度的信号带宽达9.2 GHz,10GS/s采样率下,信噪失真比为44.5dB,有效位数达到7.10位,高速串行接口数据率达到12.5Gbps。相关测试在外单位完成,并已通过第三方测试。

芯片照片

低温脉管制冷机与芯片测试板连接

低温测试环境

9.22GHz输入FFT性能图

实验室将面向深空探测和量子计算应用,进一步开展低温光电探测器、低温高速模拟信号链、低温大规模量子比特阵列操控系统芯片等研究工作。


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