武汉新芯申请多个项目备案：涉及HBM三维集成技术等

集微网消息，近日武汉新芯集成电路制造有限公司（以下简称：武汉新芯）申请了三个项目备案，分别是应用于高带宽存储器的多晶圆三维集成技术研发及产业化、C2W混合键合技术研发和产线建设项目和高容值密度深沟槽电容制造工艺技术研发项目。

其中，应用于高带宽存储器的多晶圆三维集成技术研发及产业化；建设内容为开发三维集成多晶圆堆叠技术，并建设生产线，新增生产设备约16台/套，拟实现月产出能力≥3000片（12英寸）。

C2W混合键合技术研发和产线建设项目开发基于三维集成芯粒与晶圆混合键合（C2W）工艺平台，将分开制造的芯粒和晶圆，进行三维高密度互连，使得集成芯片的自由度更大，性能更强，良率更高；推进芯粒与晶圆混合键合技术产业化，新增研发和生产设备约27台/套，拟实现月产出能力3000片（12英寸）。

高容值密度深沟槽电容制造工艺技术研发项目利用深沟槽光刻、刻蚀，高介电常数介质沉积和多层重布线一系列工艺技术，打造更高电容密度，更低漏电流，更高击穿电压和不同频率和电压下更稳定电容值的高容值密度深沟槽电容产品，推进国内深沟槽电容芯片自主芯片产业化，新增研发和生产设备约14台/套，形成1000片/月的12英寸晶圆产能。

另外，天眼查显示，2月29日，武汉新芯发生多项工商变更，股东长江存储科技控股有限责任公司退出，新增中国互联网投资基金（有限合伙）、中银金融资产投资有限公司、建信金融资产投资有限公司、农银金融资产投资有限公司等股东。

同时，武汉新芯注册资本由约57.82亿人民币增至约84.79亿人民币，增幅达46.64%。此外，武汉新芯多名主要人员也发生变更。