汉源微与天工大联合实验室揭牌，推动第三代半导体关键材料与工艺研发及测试

2024年6月29日，由广州汉源微电子封装材料有限公司和天津工业大学主办的“功率半导体模块封装关键材料与工艺联合实验室”揭牌仪式在天津工业大学成功举办。

据汉源新材料消息，汉源微与天津工业大学携手合作，共同成立联合实验室，旨在加强产学研深度融合，推动第三代半导体关键材料与工艺研发及测试。面向未来，联合实验室将从加强技术攻关、推进成果转化、培养优秀人才三方面共同努力和协作，将联合实验室发展成为半导体封装材料领域的重要科研平台和创新高地。

该联合实验室所在科研中心固定资产投资近1.5亿元，可以完成以IGBT和MOSFET为代表的先进功率模组封装、关键封装材料及工艺开发与服务、测试与失效分析等，主要体现于：

先进功率器件封装方案设计能力；

先进封装新材料导入、技术支持能力，协助客户进行关键工艺方案开发；

提供完整可靠的先进封装工艺与制造解决方案；

新型半导体器件性能、可靠性测试与失效分析。