泰科天润“一种沟槽型和JFET集成四沟道的碳化硅器件的制造方法”专利获授权

天眼查显示，泰科天润半导体科技（北京）有限公司近日取得一项名为“一种沟槽型和JFET集成四沟道的碳化硅器件的制造方法”的专利，授权公告号为CN117995686B，授权公告日为2024年6月14日，申请日为2024年4月2日。

本发明提供了一种沟槽型和JFET集成四沟道的碳化硅器件的制造方法，包括：在碳化硅衬底的一侧面淀积金属，形成漏极金属层，在碳化硅衬底另一侧面淀积生长，形成漂移层；淀积阻挡层，对阻挡层，离子注入，分别形成阱区、JFET控制区以及源区；去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层以及阱区，之后进行淀积，形成栅极介质层、第二栅极金属层、第一栅极金属层；去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀形成通孔，通过通孔淀积金属，形成源极金属层，能实现器件的快速开启。