派恩杰“集成ESD的SiC功率MOSFET器件及制备方法”专利获授权

天眼查显示，派恩杰半导体（杭州）有限公司近日取得一项名为“集成ESD的SiC功率MOSFET器件及制备方法”的专利，授权公告号为CN112951922B，授权公告日为2024年7月23日，申请日为2021年3月25日。

本发明提供了一种集成ESD的SiC功率MOSFET器件及其制备方法，由于用于ESD的PN结二极管是集成在MOSFET器件本身需要的栅极压焊区下方，不需要额外的芯片面积，不会影响芯片的集成度。且栅极压焊区的面积较大，使得PN结二极管的面积也可以较大，PN结二极管环绕在栅极压焊区的下方，可以利用栅极压焊区的面积，增大PN结二极管的面积提高ESD泄放能力；由于通过调节PN结边缘的形貌和掺杂浓度就可以调节PN结二极管的击穿电压，因此通过在第一掺杂离子重注入区和第二掺杂离子注入区的边缘设置多个尖峰角，就可以调节PN结二极管的击穿电压；且所述PN结二极管的形成是和形成MOSFET器件的工艺步骤同步进行，不额外增加光刻掩膜步骤，不会增加芯片制作成本。