海纳微“一种垂直霍尔传感器结构”专利获授权

天眼查显示，深圳市海纳微传感器技术有限公司近日取得一项名为“一种垂直霍尔传感器结构”的专利，授权公告号为CN113419198B，授权公告日为2024年7月5日，申请日为2021年6月24日。

本申请适用于传感器技术领域，特别涉及一种垂直霍尔传感器结构。垂直霍尔传感器结构包括：环状的P阱，位于环状的所述P阱中的N阱，以及所述N阱上交替设置的P型区和N型区，所述P阱和所述N阱之间存在交叠区域。本申请实施例可以提高器件灵敏度。