瀚天天成“一种降低碳化硅外延片生长缺陷的方法及碳化硅衬底”专利获授权

天眼查显示，瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司近日取得一项名为“一种降低碳化硅外延片生长缺陷的方法及碳化硅衬底”的专利，授权公告号为CN113782422B，授权公告日为2024年8月13日，申请日为2020年12月28日。

本发明涉及一种降低碳化硅外延生长缺陷的方法及碳化硅衬底，所述方法包括：步骤10：碳化硅衬底的注入面表面沉积500‑800nm的SiO2作为掩膜层，对刻蚀窗口下掩膜层进行刻蚀，完成刻蚀后，对光刻胶进行清洗；步骤20：对上一步获得的碳化硅衬底的所述注入面进行N元素的高温离子注入，形成高N区域；步骤30：完成N元素的高温离子注入后，使用酸性缓冲液进行清洗，洗去掩膜层，得到经过处理的碳化硅衬底，以其作为外延生长的基片。该方法可以阻止常规碳化硅衬底中BPD延伸扩展导致的外延生长堆垛层错（SF）的形成，提高外延生长的质量。